[发明专利]包括衬底的多芯片器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

包括电绝缘芯的衬底；

布置在所述衬底的第一主表面上的第一导电材料；

布置在所述衬底的与所述第一主表面相对的第二主表面上的第二导电材料；

电耦合所述第一导电材料与所述第二导电材料的导电连接；

布置在所述第一主表面上并且电耦合至所述第一导电材料的第一半导体芯片；以及

布置在所述第二主表面上并且电耦合至所述第二导电材料的第二半导体芯片。

2.如权利要求1所述的器件，

其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一个包括功率半导体。

3.如权利要求1所述的器件，

其中所述电绝缘芯包括陶瓷材料和塑料材料中的至少一种。

4.如权利要求1所述的器件，

其中所述电绝缘芯包括氧化铝、氮化铝、钛酸铝、氮化硅、氧化锆、碳化硅、氧化钛和氧化铍中的至少一种，并且

其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一种包括铜。

5.如权利要求1所述的器件，

其中所述衬底包括直接铜键合(DCB)衬底。

6.如权利要求1所述的器件，进一步包括：

至少部分地封装所述衬底的封装材料。

7.如权利要求6所述的器件，

其中所述第一导电材料和所述第二导电材料的至少一部分保持从所述封装材料暴露，其中所述暴露部分被配置为支持在远离所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一个的方向上散热。

8.如权利要求1所述的器件，

其中所述第一半导体芯片包括电耦接至所述第一导电材料的漏极接触，且所述第二半导体芯片包括电耦接至所述第二导电材料的源极接触。

9.如权利要求1所述的器件，

其中所述第一半导体芯片包括第一功率晶体管，所述第二半导体芯片包括第二功率晶体管，并且所述器件进一步包括：

并联电连接至所述第一功率晶体管的第一二极管和并联电连接至所述第二功率晶体管的第二二极管中的至少一个二极管。

10.如权利要求1所述的器件，进一步包括：

包括低压侧开关和高压侧开关的半桥电路，其中所述第一半导体芯片包括所述低压侧开关，并且所述第二半导体芯片包括所述高压侧开关。

11.如权利要求1所述的器件，

其中当以垂直于所述衬底的方向被查看时，所述第一半导体芯片的覆盖区与所述第二半导体芯片的覆盖区重叠。

12.如权利要求1所述的器件，

其中当以垂直于所述衬底的方向被查看时，所述第一半导体芯片的覆盖区被布置在所述第二半导体芯片的覆盖区的之外。

13.如权利要求1所述的器件，

其中所述电绝缘芯具有在50微米和1.6毫米之间的厚度。

14.如权利要求1所述的器件，

其中所述导电连接从所述第一主表面延伸至所述第二主表面并且贯穿所述电绝缘芯的开口，其中所述开口具有在50微米和2.6毫米之间的宽度。

15.如权利要求1所述的器件，

其中所述第一导电材料和所述第二导电材料中的每一个均具有在0.1毫米和0.5毫米之间的相应厚度。

16.如权利要求1所述的器件，进一步包括：

至少一个另外的半导体芯片，其被布置在邻近所述第一半导体芯片的所述第一主表面上或者邻近所述第二半导体芯片的第二主表面上。

17.如权利要求1所述的器件，进一步包括：

被配置为提供与所述第一半导体芯片或者所述第二半导体芯片的电耦接的导电元件。

18.如权利要求17所述的器件，

其中所述导电元件包括键合线和片中的至少一种。

19.一种器件，包括：

包括电绝缘芯的衬底，布置在所述衬底的第一主表面上的第一导电材料，和布置在所述衬底的第二主表面上的第二导电材料；

布置在所述第一主表面上的第一半导体芯片；以及

布置在所述第二主表面上的第二半导体芯片。

20.一种器件，包括：

直接铜键合(DCB)衬底；

布置在所述DCB衬底的第一主表面上的第一半导体芯片；

布置在所述DCB衬底的第二主表面上的第二半导体芯片；以及

至少部分地封装所述DCB衬底的封装材料。