[发明专利]包括衬底的多芯片器件在审

专利信息
申请号: 201410380144.4 申请日: 2014-08-04
公开(公告)号: CN104392985A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: K·霍塞尼;J·马勒;I·尼基廷 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18;H01L23/31
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 包括 衬底 芯片 器件
【说明书】:

技术领域

本公开涉及包括衬底的多芯片器件及制造该多芯片器件方法。

背景技术

电子器件可包括多芯片半导体芯片和装配该半导体芯片的衬底。多芯片器件及其制造方法必须不断地改进。改进多芯片器件的性能和质量,这可能是所期望的。特别地,期望增加多芯片器件的集成密度和改进热量管理。

发明内容

本发明公开了一种器件,包括:包括电绝缘芯的衬底;布置在所述衬底的第一主表面上的第一导电材料;布置在所述衬底的与所述第一主表面相对的第二主表面上的第二导电材料;电耦合所述第一导电材料与所述第二导电材料的导电连接;布置在所述第一主表面上并且电耦合至所述第一导电材料的第一半导体芯片;以及布置在所述第二主表面上并且电耦合至所述第二导电材料的第二半导体芯片。

本发明还公开了一种器件,包括:包括电绝缘芯的衬底,布置在所述衬底的第一主表面上的第一导电材料,和布置在所述衬底的第二主表面上的第二导电材料;布置在所述第一主表面上的第一半导体芯片;以及布置在所述第二主表面上的第二半导体芯片。

本发明还公开了一种器件,包括:直接铜键合(DCB)衬底;布置在所述DCB衬底的第一主表面上的第一半导体芯片;布置在所述DCB衬底的第二主表面上的第二半导体芯片;以及至少部分地封装所述DCB衬底的封装材料。

附图说明

附图包含在本说明书中以提供对本发明方面的进一步理解,且并入本说明书并构成说明书的一部分。附图举例说明了本发明的方面,并且与具体实施方式一起用来解释这些方面的原理。通过参考下面的具体实施方式能更好地理解本发明,将容易领会其他的方面和这些方面的预期优点。附图中的元件不一定是按彼此的比例绘制。相似的附图标记可指相应的类似的部分。

图1示意性地示出了一种依照本公开的器件的剖视图;

图2示意性地示出了一种依照本公开的另一种器件的剖视图;

图3示意性地示出了一种依照本公开的另一种器件的剖视图;

图4A至图4D示意性地示出了一种依照本公开的另一种器件的制造方法的剖视图;

图5A至图5G示意性地示出了一种依照本公开的另一种器件的制造方法的剖视图;

图6示意性地示出了一种依照本公开的另一种器件的剖视图;。

图7示意性地示出了一种依照本公开的另一种器件的剖视图;

图8示意性地示出了一种依照本公开的另一种器件的剖视图;

图9示出了半桥电路的示意图

具体实施方式

在下文中,将说明预制模、麦克风组件以及制造预制模的方法的进一步的示例性实施例。应当注意的是,在上下文中描述的预制模、麦克风组件或者制造预制模的方法的实施例也可与其他类别的实施例结合。

在下面具体实施方式中,参考了附图,附图举例说明了本公开可以实施的特定的方面。对此,方向性术语比如“顶(top)”、“底(bottom)”、“前(front)”、“后(back)”等,可参考所述附图的方向一起使用。由于所述器件的部件可放置在多个不同方向上,因此方向性术语仅是用于举例说明的目的,而绝不是限制性的。不脱离本公开的范围,可利用其他的方面和作出结构或者逻辑上的变化。因此下面的具体实施方式不应被视作限制意义,而且本公开的范围由所附权利要求限定。

如本说明书中所用,术语“耦接(coupled)”和/或者“电耦接(electrically coupled)”不是为了表示元件必须要直接耦接在一起。可在“耦接的”或者“电耦接的”元件之间提供中间元件。

本文中描述了器件及其制造方法。与所述器件有关的描述也可对相应的方法适用,反之亦然。例如,当描述一种器件的特定部件时,制造该器件的相应方法可包括以适当的方式提供该部件的行为,即使未明确地描述或者在附图中举例说明该行为。如果技术上可能,所描述的方法的行为的相继顺序可以交换。方法中的至少两个行为可至少部分地同时执行。总之,本文中描述的各种示例性方面的特征可彼此结合,除非另有明确说明。

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