[发明专利]同步整流电路和应用其的充电电路

权利要求书

1.一种充电电路，包括：

隔离电路，连接在电源输入端和功率转换电路之间，用于防止电流流向电源输入端；

功率转换电路，用于进行功率转换，输出充电电流；

充电电流检测电路，用于检测所述充电电流输出充电电流检测信号；

功率转换控制电路，用于根据所述充电电流检测信号控制所述功率转换电路；

所述充电电流检测电路包括第一同步整流电路；

所述第一同步整流电路包括：

第一整流晶体管，包括栅极、源极和漏极；

第一同步整流控制电路，用于根据第一整流晶体管漏极和源极的电压差生成第一同步整流控制信号，控制所述第一整流晶体管导通或关断；

所述第一同步整流控制信号随所述电压差的增大而减小。

2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述第一同步整流控制电路包括：

第一晶体管，包括发射极、集电极和基极；

第二晶体管，包括发射极、集电极和基极；

第一电阻和第二电阻；

其中，所述第一晶体管的发射极与所述第一整流晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的基极和集电极以及所述第二晶体管的基极相互连接，所述第二晶体管的发射极与所述第一整流晶体管的源极连接，所述第二晶体管的集电极与所述第一整流晶体管的栅极连接；

所述第一电阻连接在所述第一晶体管的集电极和接地端之间；

所述第二电阻连接在所述第二晶体管的集电极和接地端之间。

3.根据权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第一整流晶体管为P沟道增强型金属氧化物场效应晶体管。

4.根据权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管为PNP型双极性晶体管。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的充电电路，其特征在于，所述充电电流检测电路包括检测电阻和所述第一同步整流电路；

所述检测电阻和所述第一同步整流电路并联连接。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的充电电路，其特征在于，所述充电电流检测电路为所述第一同步整流电路。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的充电电路，其特征在于，所述隔离电路包括第二同步整流电路，所述第二同步整流电路包括：

第二整流晶体管，包括栅极、源极和漏极；

第二同步整流控制电路，用于根据第二整流晶体管漏极和源极的电压差生成第二同步整流控制信号，控制所述第二整流晶体管导通或关断；

所述第二同步整流控制信号随所述电压差的增大而减小。

8.根据权利要求7所述的充电电路，其特征在于，所述第二同步整流控制电路包括：

第三晶体管，包括发射极、集电极和基极；

第四晶体管，包括发射极、集电极和基极；

第三电阻和第四电阻；

其中，所述第三晶体管的发射极与所述第二整流晶体管的漏极连接，所述第三晶体管的基极和集电极以及所述第四晶体管的基极相互连接，所述第四晶体管的发射极与所述第二整流晶体管的源极连接，所述第四晶体管的集电极与所述第二整流晶体管的栅极连接；

所述第三电阻连接在所述第三晶体管的集电极和接地端之间；

所述第四电阻连接在所述第四晶体管的集电极和接地端之间。

9.根据权利要求8所述的充电电路，其特征在于，所述第二整流晶体管为P沟道增强型金属氧化物场效应晶体管。

10.根据权利要求8所述的充电电路，其特征在于，所述第三晶体管和第四晶体管为PNP型双极性晶体管。