[发明专利]同步整流电路和应用其的充电电路有效

专利信息
申请号: 201410380699.9 申请日: 2014-08-04
公开(公告)号: CN104104228B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 邓甫华 申请(专利权)人: 南京矽力杰半导体技术有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156;H02J7/00
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 代理人: 刘锋,蔡纯
地址: 210023 江苏省南京市玄武区玄武大*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 同步 整流 电路 应用 充电
【说明书】:

技术领域

发明涉及电力电子技术,具体涉及一种同步整流电路和应用其的充电电路。

背景技术

同步整流技术利用金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)替代肖特基二极管(Schottky Diode)从而有利于降低电路的整体功耗。

同步整流电路需要配置控制电路控制整流晶体管的导通状态,现有的控制电路结构复杂、器件数量较多、占用芯片面积较大,使得同步整流电路制造成本较高。

发明内容

有鉴于此,提供一种结构简单、器件数量少的同步整流电路和应用其的充电电路,一方面简化同步整流电路结构,另一方面解决现有的充电电路容易不能对电池充电充满的问题。

第一方面,提供一种同步整流电路,包括:

整流晶体管,包括栅极、源极和漏极;

同步整流控制电路,用于根据整流晶体管漏极和源极的电压差生成同步整流控制信号,控制所述整流晶体管导通或关断;

所述同步整流控制信号随所述电压差的增大而减小。

优选地,所述同步整流控制电路包括:

第一晶体管,包括发射极、集电极和基极;

第二晶体管,包括发射极、集电极和基极;

第一电阻和第二电阻;

其中,所述第一晶体管的发射极与所述整流晶体管的漏极连接,所述第一晶体管的基极和集电极以及所述第二晶体管的基极相互连接,所述第二晶体管的发射极与所述整流晶体管的源极连接,所述第二晶体管的集电极与所述整流晶体管的栅极连接;

所述第一电阻连接在所述第一晶体管的集电极和接地端之间;

所述第二电阻连接在所述第二晶体管的集电极和接地端之间。

优选地,所述整流晶体管为P沟道金属氧化物场效应晶体管。

优选地,所述第一晶体管和第二晶体管为PNP型双极性晶体管。

第二方面,提供一种充电电路,包括:

隔离电路,连接在电源输入端和功率转换电路之间,用于防止电流流向电源输入端;

功率转换电路,用于进行功率转换,输出充电电流;

充电电流检测电路,用于检测所述充电电流输出充电电流检测信号;

功率转换控制电路,用于根据所述充电电流检测信号控制所述功率转换电路;

所述隔离电路为如上所述的同步整流电路。

第三方面,提供一种充电电路,包括:

隔离电路,连接在电源输入端和功率转换电路之间,用于防止电流流向电源输入端;

功率转换电路,用于进行功率转换,输出充电电流;

充电电流检测电路,用于检测所述充电电流输出充电电流检测信号;

功率转换控制电路,用于根据所述充电电流检测信号控制所述功率转换电路;

所述充电电流检测电路包括如上所述的同步整流电路。

优选地,所述充电电流检测电路包括检测电阻和所述同步整流电路;

所述检测电阻和所述同步整流电路并联连接。

优选地,所述充电电流检测电路为所述同步整流电路。

优选地,所述隔离电路为如上所述的同步整流电路。

上述同步整流电路结构简单、器件数量少、制造成本低。上述充电电路应用同步整流电路作为隔离电路或充电电流检测电路,使得该充电电路充电电压较高,并且可以有效降低截止电流,克服了电池充电难以充满的问题。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述,本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚,在附图中:

图1是本发明实施例的同步整流电路的电路示意图;

图2是应用本发明实施例的同步整流电路的充电电路的示意图;

图3是应用本发明实施例的同步整流电路的另一个充电电路的示意图;

图4是应用本发明实施例的同步整流电路的另一个充电电路的示意图。

具体实施方式

以下基于实施例对本发明进行描述,但是本发明并不仅仅限于这些实施例。在下文对本发明的细节描述中,详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本发明。为了避免混淆本发明的实质,公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。

此外,本领域普通技术人员应当理解,在此提供的附图都是为了说明的目的,并且附图不一定是按比例绘制的。

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