[发明专利]显影方法和显影装置

说明书

本发明提供一种显影方法，用于进行显影，其包括：将曝光后的基板水平地保持在基板保持部上的步骤；从显影液喷嘴向基板的一部分供给显影液形成积液的步骤；使基板旋转的步骤；使上述显影液喷嘴移动，以使得进行旋转的上述基板上的显影液的供给位置沿着该基板的径向进行移动，从而使上述积液扩展到基板的整个表面的步骤；和与使上述积液扩展到基板的整个表面的步骤并行进行，使与上述显影液喷嘴一起移动的接触部与上述积液接触的步骤，其中，上述接触部与上述基板相对的面比上述基板的表面小。根据该方法能够抑制落到基板外的液体量。另外，由于能够降低基板的转速，所以，能够抑制液体飞溅。并且，通过搅拌显影液，能够提高处理能力。

技术领域

本发明涉及曝光后的基板的显影方法、显影装置和该显影装置所使用的存储介质。

背景技术

在半导体装置制造工艺中的光刻步骤中，形成抗蚀剂膜，对沿着规定的图案曝光了的基板供给显影液，形成抗蚀剂图案。该显影处理有时采用以下方式进行：从上述喷出口喷出显影液，并且使具有长条的喷出口的喷嘴从基板的一端向另一端移动，在整个基板上充满液体，从而形成液团(puddle)。能够使基板在静止的状态下充满液体，所以，为了方便起见，将该显影方式记作静止显影方式。在专利文献1中记载有该静止显影方式的一个例子。另外，作为显影处理具有以下方式：使基板旋转并且使喷嘴移动，使被供给显影液的位置在进行旋转的基板的半径上移动。利用显影液的供给位置的移动与离心力的作用，在基板上形成显影液的液膜，构成该液膜的显影液流动。为了方便起见，将该显影方式记作旋转显影方式。在专利文献2中记载有该旋转显影方式的一个例子。

作为基板，例如使用圆形的半导体晶片(以下记作晶片)。该晶片具有大型化的倾向，近年来正在研究使用具有450mm的直径的晶片。在采用上述静止显影方式的情况下，需要构成为喷嘴的喷出口覆盖晶片直径，因此，该喷嘴甚至具有该喷嘴的显影装置都会大型化。另外，在该显影装置中，从上述喷出口喷出的显影液中的、排出到晶片外侧的显影液变成废液。如果晶片大型化，则该废液的量变多。即，在处理一个晶片时使用大量的显影液。另外，与抗蚀剂发生反应的显影液其浓度降低，反应性下降，但使上述液团处于静止的状态，由此，反应后的显影液存留在液团内的相同位置。即，在上述静止显影方式中，显影处理有可能需要较长的时间。

另外，对于旋转显影方式，在喷出显影液时晶片旋转。因该晶片的旋转，排出到晶片的显影液飞溅，有可能变成颗粒污染晶片。当如上述方式晶片的直径变大时，对晶片供给的液体量变多，所以，发生上述液体飞溅的风险提高。另外，在专利文献3中记载有使喷嘴的下端与从该喷嘴供给的处理液接触，使基板旋转从而在该基板上形成液膜的技术，但是，该技术并不能解决上述问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3614769号公报

专利文献2：日本专利第4893799号公报

专利文献3：日本特开2012-74589号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明是鉴于上述这种情况而完成的，其目的在于提供一种在对曝光后的基板进行显影处理时，能够抑制所使用的显影液的量和来自基板的显影液的液体飞溅且能够提高处理能力的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的显影方法，其特征在于，包括：

将曝光后的基板水平地保持在基板保持部上的步骤；

从显影液喷嘴向基板的一部分供给显影液形成积液的步骤；

使基板旋转的步骤；

使上述显影液喷嘴移动，以使得进行旋转的上述基板上的显影液的供给位置沿着该基板的径向进行移动，从而使上述积液扩展到基板的整个表面的步骤；和