[发明专利]光照射装置以及光照射方法在审
申请号: | 201410385579.8 | 申请日: | 2014-08-07 |
公开(公告)号: | CN104347455A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 涩田浩二;上野隆 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/26 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 照射 装置 以及 方法 | ||
1.一种光照射装置,用于向基体材料的主表面照射闪光,其特征在于,
具有:
保持部,其保持所述基体材料;
光照射部,其向由所述保持部保持的所述基体材料的主表面照射闪光;
框体,其将所述光照射部容置在单一的内部空间内,并且在靠近所述基体材料一侧形成有开口部;
密封构件,其设置在所述框体的所述开口部的周缘上;
接触分离机构,其使所述基体材料以及所述密封构件进行相对移动,以使所述基体材料的主表面与所述密封构件接触以及分离。
2.根据权利要求1所述的光照射装置,其特征在于,
所述框体的所述开口部小于所述基体材料的主表面,
所述光照射装置还具有搬运机构,该搬运机构使所述基体材料和所述框体沿着与所述基体材料的主表面平行的方向进行相对移动。
3.根据权利要求2所述的光照射装置,其特征在于,
所述框体的位置被固定,
所述搬运机构使所述基体材料移动。
4.根据权利要求3所述的光照射装置,其特征在于,
所述基体材料呈薄片状或者薄板状。
5.根据权利要求4所述的光照射装置,其特征在于,
所述基体材料为能够柔软弯曲的片状的基体材料,
所述搬运机构具有:
送出辊,其在搬运方向上位于所述保持部的上游一侧,用于送出所述基体材料;
卷绕辊,其在搬运方向上位于所述保持部的下游一侧,用于卷绕所述基体材料。
6.根据权利要求5所述的光照射装置,其特征在于,
所述保持部一边向所述基体材料施加张力,一边支撑所述基体材料。
7.根据权利要求6所述的光照射装置,其特征在于,
所述保持部具有支撑基体材料的多个辊。
8.根据权利要求4所述的光照射装置,其特征在于,
所述保持部具有支撑基体材料的载物台。
9.根据权利要求1所述的光照射装置,其特征在于,
所述保持部以使所述基体材料的主表面朝向下侧的状态水平地保持所述基体材料,
所述光照射部以及所述框体配置在由所述保持部保持的所述基体材料的下侧。
10.根据权利要求1所述的光照射装置,其特征在于,
还具有气体供给部,该气体供给部向所述框体的内部供给气体。
11.根据权利要求10所述的光照射装置,其特征在于,
所述气体为非活性气体。
12.根据权利要求11所述的光照射装置,其特征在于,
所述非活性气体为氮气。
13.根据权利要求1所述的光照射装置,其特征在于,
还具有排气部,该排气部排出所述框体内的气体。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的光照射装置,其特征在于,
所述基体材料由树脂形成。
15.一种光照射方法,用于向基体材料的主表面照射闪光,其特征在于,
包括:
工序a),利用基体材料的主表面和在靠近基体材料的主表面一侧形成有开口部的框体,形成单一的闭合空间;
工序b),在执行所述工序a)之后,从配置在所述闭合空间内的光照射部向所述基体材料的主表面照射闪光;
工序c),在执行所述工序b)之后,开放所述闭合空间。
16.根据权利要求15所述的光照射方法,其特征在于,
所述框体的所述开口部小于所述基体材料的主表面,
一边使所述基体材料和所述框体沿着与所述基体材料的主表面平行的方向进行相对移动,一边反复执行所述工序a)、所述工序b)以及所述工序c)。
17.根据权利要求15或16所述的光照射方法,其特征在于,
在所述工序b)中,一边向所述框体的内部供给气体,一边从所述光照射部照射闪光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯克林集团公司,未经斯克林集团公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410385579.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于测试医疗器械的清洁度的装置和方法
- 下一篇:香料组合物及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造