[发明专利]存储器测试方法有效

专利信息
申请号: 201410385623.5 申请日: 2014-08-07
公开(公告)号: CN105405468B 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 丁英财;吴哲钦;周聪乙;黄识夫 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 位线 存储器单元 测试 半边 充电 对称 字线 存储器测试 存储器阵列 测试存储器 存储器装置
【权利要求书】:

1.一种测试方法,用以测试一存储器装置,该存储器装置包括一存储器阵列,该存储器阵列包括多个对称存储器单元、多条字线与多条位线,该测试方法包括:

于测试这些字线的一第一字线时,

充电这些位线的一第一位线以测试该第一位线的一相邻一第一对称存储器单元的一第一半边的单一位;以及

充电这些位线的一第二位线以测试该第二位线的一相邻一第二对称存储器单元的一第二半边的单一位;以及

于测试这些字线的一第二字线时,

充电这些位线的该第一位线以测试该第一位线的一相邻一第三对称存储器单元的该第二半边的单一位;以及

充电这些位线的该第二位线以测试该第二位线的一相邻一第四对称存储器单元的该第一半边的单一位,

其中,于测试各这些字线时,各这些位线被充电一次。

2.根据权利要求1所述的测试方法,其中,

于测试该第一字线时,

该第一字线上的每一这些对称存储器单元的该第一半边与该第二半边之一被读取与测试;以及

位于该第一字线上的这些对称存储器单元的一半被读取与测试该第一半边,位于该第一字线上的这些对称存储器单元的另一半被读取与测试该第二半边。

3.根据权利要求1所述的测试方法,其中,于测试时,位于该第一位线上的这些对称存储器单元的一半被读取与测试该第一半边,位于该第一位线上的这些对称存储器单元的另一半被读取与测试该第二半边。

4.根据权利要求1所述的测试方法,其中,

所有这些对称存储器单元被分组为多个页;

于测试时,耦接至同一页的这些位线被同时充电以同时读取与测试属于同一页的这些对称存储器单元;

属于同一页的这些对称存储器单元的一半被同时读取与测试其第一半边;以及

属于同一页的这些对称存储器单元的另一半被同时读取与测试其第二半边。

5.一种测试方法,用以测试一存储器装置,该存储器装置包括一存储器阵列,该存储器阵列包括多个对称存储器单元、多条位线与多条字线,该测试方法包括:

对该存储器阵列进行半页读取,于半页读取过程中所找出的该存储器阵列的至少一坏线的数量为一第一数量,其中,于进行半页读取时,对每一这些对称存储器单元的一第一半边与一第二半边中择一读取;

修补于半页读取过程中所找出的该至少一坏线;

对修补后的该存储器阵列进行全页读取,并记录一缺陷状态,于全页读取过程中所找出的至少一坏线的数量为一第二数量,其中,于进行全页读取时,对每一这些对称存储器单元读取该第一半边与该第二半边;以及

根据该缺陷状态,以及该第一数量与该第二数量间的一关系,决定该存储器装置是否通过测试。

6.根据权利要求5所述的测试方法,其中,

如果该缺陷状态小于或等于1位,则决定该存储器装置通过测试;以及

如果该缺陷状态小于或等于1位,且该第一数量不等于该第二数量,则决定该存储器装置通过测试,其中,该存储器装置的至少一缺陷对称存储器单元可被该存储器装置的一错误校正电路所修补。

7.根据权利要求5所述的测试方法,其中,

如果该缺陷状态大于2位,则决定该存储器装置未能通过测试;以及

如果该缺陷状态大于2位,且该第一数量等于该第二数量,则判断该存储器装置的一错误校正电路有缺陷,使得该存储器装置未能通过测试。

8.根据权利要求5所述的测试方法,更包括:

分群这些字线为多条字线群组;

依序测试这些字线群组并检查各字线群组的缺陷状态;

如果有任一字线群组未通过测试,则决定该存储器装置为未通过测试;以及

如果这些字线群组全部通过测试,则决定该存储器装置为通过测试。

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