[发明专利]存储器测试方法

说明书

本发明公开了一种存储器测试方法，用以测试存储器装置。该存储器装置包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个对称存储器单元、多条字线与多条位线。于测试第一字线时，充电第一位线以测试该第一位线的相邻第一对称存储器单元的第一半边的单一位；以及充电第二位线以测试该第二位线的相邻一第二对称存储器单元的第二半边的单一位。于测试第二字线时，充电该第一位线以测试该第一位线的相邻一第三对称存储器单元的该第二半边的单一位；以及充电该第二位线以测试该第二位线的相邻一第四对称存储器单元的该第一半边的单一位。于测试各这些字线时，各这些位线被充电一次。

技术领域

本发明是有关于一种存储器的测试方法，且特别是有关于一种利用半页读取(half page read)的存储器的测试方法。

背景技术

闪存在电子装置中扮演重要角色。比如，包括闪存的记忆卡可用于扩充移动装置的储存空间。于存储器芯片生产后，会对该批存储器芯片进行测试。故而，如何能快速完成存储器测试，乃是努力方向之一。

发明内容

本发明是有关于一种存储器的测试方法，其利用半页读取，以缩短测试时间。其中，于半页读取时，各存储器单元被读取与测试单一半边。

根据本发明一实施例，提出一种测试方法，用以测试一存储器装置，该存储器装置包括一存储器阵列，该存储器阵列包括多个对称存储器单元、多条字线与多条位线，该测试方法包括下列步骤。于测试这些字线的第一字线时，充电这些位线的第一位线以测试该第一位线的相邻一第一对称存储器单元的第一半边的单一位；充电这些位线的第二位线以测试该第二位线的相邻一第二对称存储器单元的第二半边的单一位。于测试这些字线的第二字线时，充电这些位线的该第一位线以测试该第一位线的相邻一第三对称存储器单元的该第二半边的单一位；以及充电这些位线的该第二位线以测试该第二位线的相邻一第四对称存储器单元的该第一半边的单一位。于测试各这些字线时，各这些位线被充电一次。

根据本发明另一实施例，提出一种测试方法，用以测试存储器装置，该存储器装置包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个对称存储器单元、多条位线与多条字线。对该存储器阵列进行半页读取，于半页读取过程中所找出的该存储器阵列的至少一坏线的数量为第一数量，其中，于进行半页读取时，对每一这些对称存储器单元的第一半边与第二半边中择一读取。修补于半页读取过程中所找出的该至少一坏线。对修补后的该存储器阵列进行全页读取，并记录缺陷状态，于全页读取过程中所找出的至少一坏线的数量为第二数量，其中，于进行全页读取时，对每一这些对称存储器单元读取该第一半边与该第二半边。根据该缺陷状态，以及该第一数量与该第二数量之间的关系，决定该存储器装置是否通过测试。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1显示一存储器装置的方块示意图。

图2显示存储器阵列。

图3A～图3B显示根据本发明实施例的测试示意图。

图4显示根据本发明另一实施例的量产前的测试流程图。

图5显示根据本发明另一实施例的量产测试流程图。

【符号说明】

100：存储器装置 110：存储器阵列

120：第一冗余电路 130：第二冗余电路

140：错误校正电路

WL0、WL1：字线

210_0_0～210_1_(N+2)：存储器单元

BL0～BL(N+3)：位线

410～455：步骤