[发明专利]ITO导电玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种用于中大尺寸电容式触摸屏的无色低阻消影的ITO导电玻璃，其特征在于，包括依次层叠的玻璃、第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层以及ITO层；

所述第一高折射率层的材料为TiO₂、ZrO₂或Si₃N₄；

所述第一低折射率层的材料为SiO₂或MgF₂；

所述第二高折射率层的材料为TiO₂、ZrO₂或Si₃N₄；

所述第二低折射率层的材料为SiO₂或MgF₂；

所述第一高折射率层的厚度为

所述第一低折射率层的厚度为

所述第二高折射率层的厚度为

所述第二低折射率层的厚度为

2.根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第一高折射率层的厚度为

3.根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第一低折射率层的厚度为

4.根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第二高折射率层的厚度为

5.根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第二低折射率层的厚度为

6.根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述ITO层的厚度为

7.根据权利要求1～6中任一项所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述ITO导电玻璃的面电阻为10欧姆～14欧姆、14欧姆～20欧姆、17～25欧或20欧姆～30欧姆。

8.一种ITO导电玻璃的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供玻璃，清洗后干燥；

将清洗后的所述玻璃表面依次磁控溅射沉积第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层和ITO层，得到所述ITO导电玻璃，其中，所述第一高折射率层的材料为TiO₂、ZrO₂或Si₃N₄，所述第一低折射率层的材料为SiO₂或MgF₂，所述第二高折射率层的材料为TiO₂、ZrO₂或Si₃N₄，所述第二低折射率层的材料为SiO₂或MgF₂，所述第一高折射率层的厚度为所述第一低折射率层的厚度为所述第二高折射率层的厚度为所述第二低折射率层的厚度为

9.根据权利要求8所述的ITO导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述第一高折射率层的厚度为所述第一低折射率层的厚度为所述第二高折射率层的厚度为所述第二低折射率层的厚度为所述ITO层的厚度为

10.根据权利要求8或9所述的ITO导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述ITO导电玻璃的面电阻为10～14欧、14～20欧姆、17～25欧姆或20～30欧姆。