[发明专利]一种支持宽电压输入的电源模块

权利要求书

1.一种支持宽电压输入的电源模块，其特征在于，包括一输入接口；一输入保护模块，所述的输入接口电连接于所述的输入保护模块，所述的输入保护模块包括一输入反接保护模块和一输入浪涌保护模块；一输出调整模块，所述的输出调整模块连接于所述的输入保护模块，所述的输出调整模块包括一开关电源模块。

2.如权利要求1所述的支持宽电压输入的电源模块，其特征在于，所述的输入保护模块与输出调整模块之间还连接有一延时电路。

3.如权利要求1所述的支持宽电压输入的电源模块，其特征在于，所述的输入保护模块还包括：一输入状态指示模块，一输入过压保护模块，一输入欠压保护模块，一输入过流保护模块。

4.如权利要求1所述的支持宽电压输入的电源模块，其特征在于，所述的输出调整模块还包括一输出过压保护模块，一输出过流保护模块，以及一输出短路保护模块。

5.如权利要求1所述的支持宽电压输入的电源模块，其特征在于，所述的输入反接保护模块包括：一功率N-MOS三极管Q1，所述的功率N-MOS三极管Q1的S极和D极串接于电源正极线H-INPUT，其G极连接于另一三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的基极同三电阻R10，R12，R16组成串联电路串联后接地；其中所述的功率N-MOS三极管Q1的G极与电源正极线H-INPUT之间并联有一瞬态抑制二极管D1，所述三极管Q3的基极的与地线之间还同一二极管D5和一瞬态抑制二极管D8串联后接地，并且所述的二极管D5和瞬态抑制二极管D8的正极都是连接于接地线端，所述的三极管Q3的发射极与基极之间还并联有一二极管D3，其中二极管D3的正极与发射极相连接；当输入的电压为正向时，所述的功率N-MOS三极管Q1导通，反之则关断。

6.如权利要求1所述的支持宽电压输入的电源模块，其特征在于，所述的输入浪涌保护模块包括：一主控芯片U1，一功率N-MOS三极管Q2，一瞬态抑制二极管D6，以及若干电阻；其中由电阻R17,R20组成的串联电路，一端连接于电源H_INPUT_R，一端接地，所述的两电阻R17,R20的之间连接于一主控芯片U1的OV引脚，主控芯片U1通过OV引脚的接收到的电压值与设定值进行比较，以判断是否过压，若过压，则芯片的GATE引脚连接于一功率N-MOS三极管Q2，并且该功率N-MOS三极管Q2的D极和S极串接于电源正极线，此时功率N-MOS三极管Q2进入半导通状态；进一步的为了防止主控芯片被浪涌损坏，还包括一连接于地线的一瞬态抑制二极管D6，该瞬态抑制二极管D6的负极连接于电源正极H_INPUT_R。

7.如权利要求1所述的支持宽电压输入的电源模块，其特征在于，所述的开关电源模块通过比较输入电压H_VIN和输出电压H_OUT，由主控芯片U2进行控制：当输出电压H_OUT小于输入电压时H_VIN，该开关电源模块进入降压模式；当输出电压H_OUT大于输入电压H_VIN时，该开关电源模块进入升压模式。

8.如权利要求1所述的支持宽电压输入的电源模块，其特征在于，所述的延时电路包括：R28，D12，R29，R27，C18，C1，Q9，R24,R25,R26，Q10组成，其中，H_VIN_L端连接有一电阻R28，电阻R28的另一端接地；H_VIN_L还连接有一电阻R27，该电阻R27的另一端连接有一电容C18；其中，电阻R28与H_VIN_L之间还连接有一二极管D12，该二极管D12的正极连接于电阻R27与电容C18之间，与电容C18并联有一电阻R29；在电阻R27与电容C18之间由导线引出连接于一三极管Q10的G极，该三极管Q10的S极与电容C18的另一端共同接地；三极管Q10的D极连接于一电阻R26，与该电阻R26连接有一电阻R24，电阻R24的另一端连接于H_VIN_L端；电阻R25和电容C1串联之后与电阻R24并联；一三极管Q9的S极连接于H_VIN_L端，其G极连接于电容C1与电阻R25之间，其S极连接于电感线圈L3，电感线圈L3的输出端连接于一电容C17，电容C17的输出端接地。

9.如权利要求1所述的支持宽电压输入的电源模块，其特征在于，还包括一正常输出状态指示模块，所述的正常输出状态指示模块连接于所述的输入保护模块。