[发明专利]一种支持宽电压输入的电源模块

说明书

技术领域

本发明涉及电源设计领域，尤其涉及一种支持宽电压输入的电源模块。

背景技术

现在的电子设备几乎都是采用电源驱动的，但是不同的设备对电源的性能参数要求各不相同。如今，主板行业应用的范围越来越广，例如，工业控制，汽车电子，广告牌等领域。此类行业应用基本都以DC电源适配器作为电源供应。目前，传统的PC行业使用的电源适配器为固定输入电压适配器(19V和12VDC输入)，因此市场很多产品都需要与这些标准匹配。但随着行业的多元化、精细化发展，电子行业为了满足能耗标准，并且满足特定行业需求，需要主板产品支持宽电压输入。不同的电源输入可提高电源的通用性，扩大应用范围。但是目前市场上一方面宽电压输入电源比较少，并且，这些宽电压输入电源不具有防浪涌的功能等，导致了该类产品的质量不高。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服上述现有技术存在的不足，而提出一种支持宽电压输入的电源模块，其可以提供较宽范围的电压输出，并具有良好的品性。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种支持宽电压输入的电源模块，其包括一输入接口；一输入保护模块，所述的输入接口电连接于所述的输入保护模块，所述的输入保护模块包括一输入反接保护模块和一输入浪涌保护模块；一输出调整模块，所述的输出调整模块连接于所述的输入保护模块，所述的输出调整模块包括一开关电源模块。

优选的，所述的输入保护模块与输出调整模块之间还连接有一延时电路。

其中，所述的输入保护模块还包括：一输入状态指示模块，一输入过压保护模块，一输入欠压保护模块，一输入过流保护模块。

其中，所述的输出调整模块还包括一输出过压保护模块，一输出过流保护模块，以及一输出短路保护模块。

其中，所述的输入反接保护模块包括：一功率N-MOS三极管Q1，所述的功率N-MOS三极管Q1的S极和D极串接于电源正极线H-INPUT，其G极连接于另一三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的基极同三电阻R10，R12，R16组成串联电路串联后接地；其中所述的功率N-MOS三极管Q1的G极与电源正极线H-INPUT之间并联有一瞬态抑制二极管D1，所述三极管Q3的基极的与地线之间还同一二极管D5和一瞬态抑制二极管D8串联后接地，并且所述的二极管D5和瞬态抑制二极管D8的正极都是连接于接地线端，所述的三极管Q3的发射极与基极之间还并联有一二极管D3，其中二极管D3的正极与发射极相连接；当输入的电压为正向时，所述的功率N-MOS三极管Q1导通，反之则关断。

更具体的，所述的输入浪涌保护模块包括：一主控芯片U1，一功率N-MOS三极管Q2，一瞬态抑制二极管D6，以及若干电阻；其中由电阻R17,R20组成的串联电路，一端连接于电源H_INPUT_R，一端接地，所述的两电阻R17,R20的之间连接于一主控芯片U1的OV引脚，主控芯片U1通过OV引脚的接收到的电压值与设定值进行比较，以判断是否过压，若过压，则芯片的GATE引脚连接于一功率N-MOS三极管Q2，并且该功率N-MOS三极管Q2的D极和S极串接于电源正极线，此时功率N-MOS三极管Q2进入半导通状态；进一步的为了防止主控芯片被浪涌损坏，还包括一连接于地线的一瞬态抑制二极管D6，该瞬态抑制二极管D6的负极连接于电源正极H_INPUT_R。

进一步的，所述的开关电源模块通过比较输入电压H_VIN和输出电压H_OUT，由主控芯片U2进行控制：当输出电压H_OUT小于输入电压时H_VIN，该开关电源模块进入降压模式；当输出电压H_OUT大于输入电压H_VIN时，该开关电源模块进入升压模式。