[发明专利]源漏结构及其制造方法

权利要求书

1.一种源漏结构，所述源漏结构包括设置在衬底中的漏极区和源极区，所述漏极区包括轻掺杂超浅结和漏极重掺杂区，其特征在于，所述漏极区还包括：

漏极-衬底结，设置在所述轻掺杂超浅结和所述衬底的靠近所述轻掺杂超浅结的侧面与底面结合处的部位，所述漏极-衬底结中的杂质离子与所述轻掺杂超浅结中的杂质离子为反型离子。

2.根据权利要求1所述的源漏结构，其特征在于，位于所述轻掺杂超浅结中的所述漏极-衬底结1的边缘弧度小于所述轻掺杂超浅结的边缘弧度。

3.根据权利要求1所述的源漏结构，其特征在于，所述漏极-衬底结中的杂质离子浓度小于所述漏极重掺杂区中的杂质离子浓度。

4.根据权利要求1所述的源漏结构，其特征在于，所述源极区包括：

源极-衬底结，设置在所述源极区和所述衬底的靠近所述源极区的侧面与底面结合处的部位。

5.根据权利要求1所述的源漏结构，其特征在于，所述源漏结构还包括：

栅极，设置在所述源极区和所述漏极区之间的所述衬底上；

侧墙，设置在所述栅极的侧壁上且沿远离所述栅极的方向延伸至所述漏极重掺杂区的边缘。

6.根据权利要求1所述的源漏结构，其特征在于，所述源漏结构的沟道类型为N型沟道，所述漏极-衬底结中的杂质离子为P型离子。

7.一种源漏结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S1，在衬底上形成栅极；

步骤S2，在所述衬底中欲设置漏极区的区域设置轻掺杂超浅结；

步骤S3，在所述栅极的侧壁上设置侧墙；

步骤S4，对所述轻掺杂超浅结进行反型离子深注入，在所述轻掺杂超浅结的侧面与底面结合处的所述轻掺杂超浅结和所述衬底中形成漏极-衬底结，所述反型离子深注入所注入的离子与所述轻掺杂超浅结中的杂质离子为反型离子；以及

步骤S5，对裸露的所述轻掺杂超浅结进行重掺杂离子注入，形成漏极重掺杂区。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，位于源极区上方的相邻所述侧墙相连接。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S4在进行所述反型离子深注入时，控制离子束与衬底表面的夹角为45°～85°，注入能量为10～50Kev。

10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S4中反型离子深注入的离子剂量小于所述步骤S5中重掺杂离子注入的离子剂量。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S5中重掺杂离子注入的离子剂量为2E11～2E13cm^-3。

12.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S2之前还包括：

对所述衬底中欲设置源极区的区域进行自对准源极注入，形成自对准源极区；

对所述自对准源极区进行反型离子深注入，在所述自对准源极区和所述衬底的靠近所述自对准源极区的侧面与底面结合处的部位中形成源极-衬底结。