[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410387764.0 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105336703B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成有栅极，在所述栅极的顶面形成有硬掩膜层，其中所述硬掩膜层的表面上形成有自然氧化层；
采用氢氟酸溶液酸洗完全去除所述自然氧化层；
采用磷酸旧液去除所述硬掩膜层，同时利用所述磷酸旧液中含有的硅氧键在露出的所述栅极氧化层上形成氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液酸洗的时间为6～10秒。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用氢氟酸溶液酸洗完全去除所述自然氧化层的同时，造成所述栅极两侧暴露出的所述栅极氧化层损失量达到
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液的浓度为HF:H2O＝1:100，其中，HF为49％的HF。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷酸旧酸为使用寿命达到1000片以上的磷酸。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为5埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极氧化层为氧化硅，所述栅极为多晶硅栅极，所述硬掩膜层的材料为SiON。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在采用磷酸旧液去除所述硬掩膜层的步骤后，还包括进行源漏极LDD离子注入的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为双栅氧器件。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极氧化层包括厚栅氧化层和薄栅氧化层，所述栅极包括形成于所述厚栅氧化层上的厚栅氧栅极和形成于所述薄栅氧化层上的薄栅氧栅极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
