[发明专利]一种半导体器件的制作方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成有栅极，在所述栅极的顶面形成有硬掩膜层，其中所述硬掩膜层的表面上形成有自然氧化层；采用氢氟酸溶液酸洗完全去除所述自然氧化层；采用磷酸旧液去除所述硬掩膜层，同时在所述栅极氧化层上形成氧化硅层。根据本发明的方法，可有效去除硬掩膜表面上的自然氧化层，同时采用磷酸旧酸进行氮氧化硅硬掩膜层的去除的同时，在栅极两侧的栅极氧化层上又形成了氧化硅层，使栅极氧化层厚度未发生改变，有利于控制离子注入的深度，进而提高了器件的良率和电学性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

芯片制造流程中，栅极的形成过程是最为重要的环节，现有的形成栅极的工艺步骤包括：多晶硅刻蚀，SiON硬掩膜层表面自然氧化层(SiO₂)和SION的去除，源漏极LDD离子注入。

其中SiON表面氧化层的去除采用HF溶液酸洗的方法，时间为3秒，可去除厚度的氧化硅。经过该步骤，栅极两侧的厚栅氧和薄栅氧的厚度也会损失而为了后期离子注入制程的顺利进行，需要保留一定厚度的氧化硅用于控制之后源漏极LDD离子注入的深度。该厚度必须准确控制，否则会影响注入深度和芯片的电学性能。其中SiON的去除是采用磷酸酸洗的方法，由于磷酸具有SiON对氧化硅高达40比1的蚀刻选择比，因此在去除SiON之前，必须先用HF去除SiON表面的自然氧化层，否则残留的自然氧化层将阻碍SiON与磷酸接触，SiON将无法完全被去除。然而采用现有的工艺条件并不能将自然氧化层完全去除，导致SiON残留问题的出现。

因此，为了解决上述技术问题，有必要提出一种新的半导体器件的制作方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极氧化层，在所述栅极氧化层上形成有栅极，在所述栅极的顶面形成有硬掩膜层，其中所述硬掩膜层的表面上形成有自然氧化层；

采用氢氟酸溶液酸洗完全去除所述自然氧化层；

采用磷酸旧液去除所述硬掩膜层，同时利用所述磷酸旧液中含有的硅氧键在露出的所述栅极氧化层上形成氧化硅层。

可选地，所述氢氟酸溶液酸洗的时间为6～10秒。

可选地，采用氢氟酸溶液酸洗完全去除所述自然氧化层的同时，造成所述栅极两侧暴露出的所述栅极氧化层损失量达到

可选地，所述氢氟酸溶液的浓度为HF:H₂O＝1:100，其中，HF为49％的HF。

可选地，所述磷酸旧酸为使用寿命达到1000片以上的磷酸。

可选地，所述氧化硅层的厚度为5埃。

可选地，所述栅极氧化层为氧化硅，所述栅极为多晶硅栅极，所述硬掩膜层的材料为SiON。

可选地，在采用磷酸旧液去除所述硬掩膜层的步骤后，还包括进行源漏极LDD离子注入的步骤。

可选地，所述半导体器件为双栅氧器件。

可选地，所述栅极氧化层包括厚栅氧化层和薄栅氧化层，所述栅极包括形成于所述厚栅氧化层上的厚栅氧栅极和形成于所述薄栅氧化层上的薄栅氧栅极。