[发明专利]试验装置、试验方法有效

专利信息
申请号: 201410389845.4 申请日: 2014-08-08
公开(公告)号: CN104347355B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 冈田章;野口贵也;竹迫宪浩;山下钦也;秋山肇 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/67;H01L21/304
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体芯片 试验 试验装置 磨料颗粒 粘接片 异物去除部 电气特性 异物去除 移动部
【权利要求书】:

1.一种试验装置,其特征在于,具有:

异物去除部,其具有第1斜面和第2斜面,在所述第1斜面上设置有磨料颗粒或粘接片,在所述第2斜面上设置有磨料颗粒或粘接片,所述第2斜面以上方处与所述第1斜面的距离远,下方处与所述第1斜面的距离近的方式与所述第1斜面相对;

试验部,其对半导体芯片的电气特性进行试验;以及

移动部,其使所述半导体芯片与所述第1斜面和所述第2斜面的上方接触/分离,并将所述半导体芯片向所述试验部输送。

2.根据权利要求1所述的试验装置,其特征在于,

所述异物去除部具有:

主体部,其形成有所述第1斜面和所述第2斜面;

基板,其用于载置所述主体部;以及

角度变更机构,其使所述第1斜面和所述第2斜面相对于所述基板的角度变更。

3.根据权利要求1或2所述的试验装置,其特征在于,

所述试验装置具有振动装置,该振动装置使所述第1斜面和所述第2斜面振动。

4.根据权利要求1或2所述的试验装置,其特征在于,

所述试验装置具有除电装置,该除电装置对所述半导体芯片的异物进行除电。

5.根据权利要求4所述的试验装置,其特征在于,

所述除电装置是离子发生器。

6.根据权利要求1或2所述的试验装置,其特征在于,

所述试验装置具有超声波施加装置,该超声波施加装置向所述半导体芯片施加超声波。

7.根据权利要求1或2所述的试验装置,其特征在于,

所述试验装置具有凸起部,该凸起部在所述第1斜面和所述第2斜面之间进行上下移动。

8.根据权利要求7所述的试验装置,其特征在于,

所述试验装置具有移动控制部,该移动控制部使所述凸起部旋转。

9.根据权利要求1或2所述的试验装置,其特征在于,

在所述第1斜面和所述第2斜面上设置有附着了磨料颗粒的卷绕式的研磨片。

10.根据权利要求1或2所述的试验装置,其特征在于,

在所述第1斜面和所述第2斜面上设置有卷绕式的粘接片。

11.根据权利要求1或2所述的试验装置,其特征在于,

在所述第1斜面和所述第2斜面上形成有对从所述半导体芯片脱落的异物进行回收的开口。

12.根据权利要求11所述的试验装置,其特征在于,

所述试验装置具有吸气装置,该吸气装置对所述开口内吸气。

13.根据权利要求1或2所述的试验装置,其特征在于,

所述异物去除部具有对从所述半导体芯片脱落的异物进行收容的凹部。

14.根据权利要求1或2所述的试验装置,其特征在于,

所述试验装置具有追加异物去除部,该追加异物去除部具有设置了磨料颗粒或粘接片的平坦面。

15.一种试验方法,其特征在于,具有:

异物去除工序,在该工序中,使切割得到的半导体芯片的侧面与设置有磨料颗粒或粘接片的斜面抵接,将所述半导体芯片的侧面的异物去除;以及

试验工序,在该工序中,在所述异物去除工序之后,对所述半导体芯片的电气特性进行试验,

所述斜面具有相对的第1斜面和第2斜面,

所述第2斜面以上方处与所述第1斜面的距离远、下方处与所述第1斜面的距离近的方式与所述第1斜面相对,

在所述异物去除工序中,通过使所述半导体芯片向下方落下,从而使所述半导体芯片的侧面与所述第1斜面和所述第2斜面抵接。

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