[发明专利]试验装置、试验方法有效
申请号: | 201410389845.4 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN104347355B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 冈田章;野口贵也;竹迫宪浩;山下钦也;秋山肇 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/304 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体芯片 试验 试验装置 磨料颗粒 粘接片 异物去除部 电气特性 异物去除 移动部 | ||
本发明的目的在于提供一种试验装置和试验方法,其能够通过简单的方法将半导体芯片的异物去除,提高试验的可靠性。该试验装置具有:异物去除部(14),其具有第1斜面(32a)和第2斜面(32b),在第1斜面上设置有磨料颗粒或粘接片,在第2斜面上设置有磨料颗粒或粘接片,该第2斜面以上方处与该第1斜面的距离远,下方处与该第1斜面的距离近的方式与该第1斜面相对;试验部16,其对半导体芯片(20)的电气特性进行试验;以及移动部(18),其使该半导体芯片与该第1斜面和该第2斜面的上方接触/分离,并将该半导体芯片向该试验部输送。
技术领域
本发明涉及一种在将半导体芯片的异物去除后,对半导体芯片的电气特性进行试验的试验装置及试验方法。
背景技术
在专利文献1中公开了通过吹送排出气体而将附着在半导体晶片上的异物去除的技术。在专利文献2中公开了使切割半导体晶片后所产生的异物减少的技术。该技术由于不在切割线上形成金属电极,因此抑制因切割引起的异物产生。
专利文献1:日本特开2010-165943号公报
专利文献2:日本特开2008-141135号公报
有时在切割得到的半导体芯片的侧面存在有异物。如果在存在有异物的情况下对半导体芯片的电气特性进行试验,则存在异物对试验结果造成坏影响的问题。在该情况下,无法确保试验的可靠性。因此,在对半导体芯片的电气特性进行试验之前,应预先去除半导体芯片的异物。
另外,如专利文献1公开所示,在仅通过向异物吹送排出气体的情况下,难以将异物去除。另外,在专利文献2公开的技术中,由于需要从切割线去除金属电极的工序,因此,存在成本增加的问题。
发明内容
本发明就是为了解决上述课题而提出的,其目的在于提供一种能够通过简单的方法将半导体芯片的异物去除,提高试验的可靠性的试验装置和试验方法。
本发明所涉及的试验装置,其特征在于,具有:异物去除部,其具有第1斜面和第2斜面,在该第1斜面上设置有磨料颗粒或粘接片,在该第2斜面上设置有磨料颗粒或粘接片,该第2斜面以上方处与该第1斜面的距离远,下方处与该第1斜面的距离近的方式与该第1斜面相对;试验部,其对半导体芯片的电气特性进行试验;以及移动部,其使该半导体芯片与该第1斜面和该第2斜面的上方接触/分离,并将该半导体芯片向该试验部输送。
本发明所涉及的试验方法,其特征在于,具有:异物去除工序,在该工序中,使切割得到的半导体芯片的侧面与设置有磨料颗粒或粘接片的斜面抵接,将该半导体芯片的侧面的异物去除;以及试验工序,在该工序中,在该异物去除工序之后,对该半导体芯片的电气特性进行试验。
发明的效果
根据本发明,能够通过简单的方法将半导体芯片的异物去除,提高试验的可靠性。
附图说明
图1是本发明的实施方式1所涉及的试验装置的框图。
图2是异物去除部的主视图。
图3是主体部的斜视图。
图4是移动部的主视图。
图5是表示由移动部将半导体芯片拾取后的状态的主视图。
图6是表示将半导体芯片移动至第1斜面和第2斜面的上方后的主视图。
图7是表示半导体芯片的侧面与第1斜面和第2斜面抵接的主视图。
图8是表示利用凸起部对半导体芯片进行保持的主视图。
图9是表示本发明的实施方式2所涉及的异物去除部的主视图。
图10是表示半导体芯片的侧面刚与斜面接触后的异物去除部的主视图。
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