[发明专利]制造聚酰亚胺基底的方法及制造显示装置的方法有效
申请号: | 201410390615.X | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN104465334B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 哈伊克·哈洽图安;具贤祐;金善浩;金泰雄 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;谭昌驰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 聚酰亚胺 基底 方法 显示装置 | ||
1.一种制造聚酰亚胺基底的方法,其特征在于,所述方法包括:
将酸溶液提供到玻璃基底,以去除包括在玻璃基底中的第一阳离子;
在去除第一阳离子之后,将第二阳离子提供到通过第一阳离子的去除而在玻璃基底中形成的空位;
将包括聚酰胺酸的源溶液提供到玻璃基底;
使聚酰胺酸固化,以在玻璃基底上形成聚酰亚胺基底;以及
将聚酰亚胺基底与玻璃基底分离。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在玻璃基底的上表面上提供酸溶液,其中,在玻璃基底的上表面上提供聚酰胺酸,以在玻璃基底的上表面上形成聚酰亚胺基底。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,聚酰亚胺基底通过第一结合力与玻璃基底结合,其中,第一阳离子与包括在源溶液中的材料之间的化学结合度因第一阳离子的去除而减小,从而使第一结合力减小。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,第二阳离子与包括在源溶液中的材料形成化学键,以在聚酰亚胺基底与玻璃基底之间产生盐,
其中,第一结合力因盐而减小。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,第一阳离子包括从由铝阳离子、钡阳离子、锶阳离子、钙阳离子、铁阳离子和硼阳离子组成的组中选择的至少一种,其中,第二阳离子包括镁阳离子。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,用包括第二阳离子的溶液浸渍玻璃基底,从而在空位中提供第二阳离子。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,用所述溶液将玻璃基底浸渍10分钟至60分钟。
8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在玻璃基底上形成薄膜,
其中,第二阳离子从薄膜扩散至空位。
9.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在去除第一阳离子之前,对玻璃基底执行热处理,
其中,第一阳离子因热处理而移向玻璃基底的上表面。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,酸溶液包括柠檬酸。
11.一种制造显示装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
在玻璃基底上形成聚酰亚胺基底;
在聚酰亚胺基底上形成多个像素;以及
将包括在其上形成的多个像素的聚酰亚胺基底与玻璃基底分离;
其中,形成聚酰亚胺基底的步骤包括:
将酸溶液提供到玻璃基底,以去除包括在玻璃基底中的第一阳离子;
在去除第一阳离子之后,将第二阳离子提供到通过第一阳离子的去除而在玻璃基底中形成的空位;
将包括聚酰胺酸的源溶液提供到玻璃基底;以及
使聚酰胺酸固化。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在玻璃基底的上表面上提供酸溶液,其中,在玻璃基底的上表面上提供聚酰胺酸,以在玻璃基底的上表面上形成聚酰亚胺基底。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,聚酰亚胺基底通过第一结合力与玻璃基底结合,其中,第一阳离子与包括在源溶液中的材料之间的化学结合度因第一阳离子的去除而减小,从而使第一结合力减小。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,第二阳离子与包括在源溶液中的材料形成化学键,以在聚酰亚胺基底与玻璃基底之间产生盐,
其中,第一结合力因盐而减小。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,第一阳离子包括从由铝阳离子、钡阳离子、锶阳离子、钙阳离子、铁阳离子和硼阳离子组成的组中选择的至少一种,其中,第二阳离子包括镁阳离子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造