[发明专利]芯片封装基板及、芯片封装结构及二者之制作方法

权利要求书

1.一种芯片封装基板的制作方法，包括步骤：

提供基板，该基板包括承载板及位于所述承载板相对两侧的第一原铜层及第二原铜层；

分别在该第一原铜层与第二原铜层的表面形成第一导电线路层与第二导电线路层及分别在该第一导电线路层与第二导电线路层的表面形成第一导电柱与第二导电柱；

在所述第一原铜层上形成第一封装胶体，在所述第二原铜层上形成第二封装胶体，所述第一封装胶体包覆所述第一导电线路层与第一导电柱，所述第二封装胶体包覆所述第二导电线路层与所述第二导电柱，研磨第一封装胶体以暴露第一导电柱，研磨该第二封装胶体以暴露第二导电柱；

拆板并且移除第一原铜层与第二原铜层得到第一芯片封装基板与第二芯片封装基板。

2.如权利要求1所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，该基板还包括第一胶层、第二胶层、第一分离铜层、第二分离铜层，该第一胶层、第二胶层分别位于该承载板的相背两侧，该第一分离铜层内嵌在所述第一胶层中，该第二分离铜层内嵌在所述第二胶层中，该第一原铜层覆盖在该第一胶层及第一分离铜层的表面，该第二原铜层覆盖在该第二胶层及该第二分离铜层的表面。

3.如权利要求2所述的芯片封装基板的制作方法，其特征在于，拆板并且移除第一原铜层与第二原铜层的方法包括：加热第一胶层至其熔点，使所述第一原铜层与第一分离铜层分离，再蚀刻移除第一原铜层，从而暴露所述第一导电线路层，进而得到第一芯片封装基板；加热第二胶层至其熔点，使所述第二原铜层与第二分离铜层分离再蚀刻移除第二原铜层，从而暴露所述第二导电线路层，进而得到第二芯片封装基板。

4.一种芯片封装结构的制作方法，包括步骤：提供根据权利要求1-3任一一项所述的芯片封装基板的制作方法制作而成的芯片封装基板；

在该芯片封装基板的其中一个表面形成至少一层增层线路层；

在所述增层线路层的表面形成防焊层；

在封装基板的另外一个表面设置芯片，使芯片与封装基板电性连接。

5.如权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述芯片封装基板为第一芯片封装基板，该第一芯片封装基板包括相背的第一表面与第二表面，该第一表面暴露所述第一导电线路层，该第二表面暴露该第一导电柱；形成该增层线路层的方法包括：在该第一表面形成一层包括有多个贯通孔的介电层，在所述贯通孔中形成第三导电柱，以及在所述介电层的部分表面形成第三导电线路层；第三导电线路层通过所述第三导电柱与第一导电线路层相导通。

6.如权利要求5所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，形成该防焊层的方法包括：该防焊层设置在该第三导电线路层表面，该防焊层包括多个防焊层开口，以暴露出部分该第三导电线路层。

7.如权利要求6所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，该芯片封装结构的制作方法还包括在暴露的该第三导电线路层上设置焊球。