[发明专利]一种基于铝阳极氧化技术的基板及其制造方法

权利要求书

1.一种基于铝阳极氧化技术的基板，其特征在于，包括：

铝合金基板，其含有多孔氧化铝介质，所述铝合金基板具有两相对的第一表面及第二表面；

第一层布线，位于所述铝合金基板的第一表面上；

第二层布线，埋置于所述铝合金基板中；

第三层布线，位于所述铝合金基板的第二表面上；以及

铝全通柱和铝半通柱，其中所述铝全通柱贯穿所述铝合金基板的第一表面及第二表面，所述铝半通柱未贯穿所述铝合金基板；

对第一步光刻涂胶后的所述铝合金基板进行第一步光刻，形成第二层布线的初步掩膜图形；对第一步光刻后的铝合金基板进行致密型阳极氧化，形成致密型氧化层，再进行第一次去胶，形成第二层布线的图形掩膜；对第一次去胶后的铝合金基板进行第二步光刻涂胶，并进行第二步光刻，形成第一层布线、第三层布线及铝全通柱和铝半通柱的图形掩膜；对第二步光刻后的铝合金基板进行穿透型阳极氧化，形成多孔型氧化铝介质，再进行第二次去胶，完成基板的制造；其中，所述第一层布线、第三层布线、铝全通柱的图形掩膜通过第二步光刻工艺制得，第二层布线的图形掩膜通过第一步光刻工艺和致密型阳极氧化制得，所述铝半通柱的图形掩膜通过第一步光刻工艺、致密型阳极氧化和第二步光刻工艺制得，所述第一层布线、第三层布线的图形掩膜是第二步光刻所涂的光刻胶，所述第二层布线的图形掩膜材料是致密型氧化铝层；所述铝全通柱的图形掩膜位于所述铝合金基板的金属铝上，是第二步光刻所涂的光刻胶；所述铝半通柱的图形掩膜在所述铝合金基板的第一表面上，是第二步光刻所涂的光刻胶或致密型氧化铝层，在所述铝合金基板的第二表面上是致密型氧化铝层或第二步光刻所涂的光刻胶，并且第二步光刻所涂的胶位于致密型氧化铝层上。

2.根据权利要求1所述的基于铝阳极氧化技术的基板，其特征在于，所述铝合金基板含有硅、镁、铁元素，所述铝合金基板的厚度为0.1mm至0.3mm。

3.一种基于铝阳极氧化技术的基板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

对含有多孔铝介质的铝合金基板进行预处理，再进行第一步光刻涂胶；

对第一步光刻涂胶后的所述铝合金基板进行第一步光刻，形成第二层布线的初步掩膜图形；

对第一步光刻后的铝合金基板进行致密型阳极氧化，形成致密型氧化层，再进行第一次去胶，形成第二层布线的图形掩膜；

对第一次去胶后的铝合金基板进行第二步光刻涂胶，并进行第二步光刻，形成第一层布线层、第三层布线及铝全通柱和铝半通柱的图形掩膜；

对第二步光刻后的铝合金基板进行穿透型阳极氧化，形成多孔氧化铝介质，再进行第二次去胶，完成基板的制造；

其中，所述第一层布线、第三层布线、铝全通柱的图形掩膜通过第二步光刻工艺制得，第二层布线的图形掩膜通过第一步光刻工艺和致密型阳极氧化制得，所述铝半通柱的图形掩膜通过第一步光刻工艺、致密型阳极氧化和第二步光刻工艺制得，所述第一层布线、第三层布线的图形掩膜是第二步光刻所涂的光刻胶，所述第二层布线的图形掩膜材料是致密型氧化铝层；所述铝全通柱的图形掩膜位于所述铝合金基板的金属铝上，是第二步光刻所涂的光刻胶；所述铝半通柱的图形掩膜在所述铝合金基板的第一表面上，是第二步光刻所涂的光刻胶或致密型氧化铝层，在所述铝合金基板的第二表面上是致密型氧化铝层或第二步光刻所涂的光刻胶，并且第二步光刻所涂的胶位于致密型氧化铝层上。

4.根据权利要求3所述的基于铝阳极氧化技术的基板制造方法，其特征在于，所述铝合金基板含有硅、镁、铁元素，所述铝合金基板的厚度为0.1mm至0.3mm。

5.根据权利要求3所述的基于铝阳极氧化技术的基板制造方法，其特征在于，所述致密型氧化层的厚度为0.5微米到5微米。

6.根据权利要求3所述的基于铝阳极氧化技术的基板制造方法，其特征在于，所述致密型阳极氧化的过程时间控制在10分钟到30分钟；所述穿透型阳极氧化的过程时间控制在6小时到20小时。

7.根据权利要求6所述的基于铝阳极氧化技术的基板制造方法，其特征在于，所述致密型阳极氧化所用的电解液为柠檬酸、硼酸；所述穿透型阳极氧化所用的电解液为硫酸、磷酸、铬酸或草酸。

8.根据权利要求7所述的基于铝阳极氧化技术的基板制造方法，其特征在于，所述第二次去胶采用的方法为等离子体干法去胶工艺。