[发明专利]晶片封装体

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一半导体基底，具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面；

一介电层，位于该半导体基底的该第一表面上，其中该介电层包括一开口，该开口露出一导电垫；

一侧边凹陷，至少位于该半导体基底的一第一侧边，由该第一表面朝该第二表面延伸，且横跨该第一侧边的全部长度；

一上凹陷，至少位于该导电垫外侧的该介电层的一侧边，其中该上凹陷的侧壁和该侧边凹陷的侧壁为非共平面；以及

一导线，电性连接该导电垫，且延伸至该上凹陷及该侧边凹陷。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该侧边凹陷还延伸至与该第一侧边相邻的一第二侧边的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该导线延伸至位于该第二侧边的该侧边凹陷。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该导线还从该第二侧边的该侧边凹陷延伸至位于该第一侧边的该侧边凹陷。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该侧边凹陷还延伸至与该第一侧边相邻的两侧边的各至少一部分。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片封装体还包括另一侧边凹陷，其中该侧边凹陷和该另一侧边凹陷分别位于该半导体基底的相对两侧边，且各自横跨该相对两侧边的全部长度。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，所述侧边凹陷中的至少一个还延伸至相邻的一侧边的至少一部分。

8.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，所述侧边凹陷中的至少一个还延伸至相邻的两侧边的各至少一部分。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片封装体包括连续的多个凹陷，所述凹陷位于该导电垫外侧，且其中每一凹陷的一底部与一侧壁顶端之间具有一凹陷深度，底部最接近该第二表面的一第一凹陷的凹陷深度最大。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片封装体包括连续的多个凹陷，所述凹陷位于该导电垫外侧，且其中每一凹陷的一底部具有一底部面积，底部最接近该第二表面的一第一凹陷的底部面积最大。

11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一密封环，该密封环围绕该导电垫，其中该密封环的形状为一四边形，该导线跨越该密封环而延伸至该上凹陷及该侧边凹陷。

12.根据权利要求11所述的晶片封装体，其特征在于，该密封环的每一边分别与该半导体基底的每一侧边之间的距离相同。

13.根据权利要求11所述的晶片封装体，其特征在于，该密封环中接近该第一侧边的一边与该第一侧边之间的距离大于该密封环的其余三边分别与该半导体基底的其余三边之间的距离。

14.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一绝缘层，该绝缘层设置于该导线下方且位于该介电层及该半导体基底上方，其中该导线延伸至该绝缘层的一凸起上或一沟槽内，且该导线包括邻近于该凸起或该沟槽的一第一部分及与该第一部分连接的一第二部分，该第一部分的横向宽度大于该第二部分的横向宽度。

15.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导线包括邻近于该上凹陷或该侧边凹陷的一侧壁顶端及一侧壁底端的一第一部分及与该第一部分连接的一第二部分，该第一部分的横向宽度大于该第二部分的横向宽度。

16.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导线还电性连接至另一导电垫。

17.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该上凹陷露出该半导体基底的该第一表面。

18.根据权利要求17所述的晶片封装体，其特征在于，该导线包括一第一部分及与该第一部分连接的一第二部分，且其中该第一部分的横向宽度大于该第二部分的横向宽度。

19.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该导线包括一第一部分及与该第一部分连接的一第二部分，且其中该第一部分的横向宽度大于该第二部分的横向宽度。