[发明专利]测试键结构与测试键群组

权利要求书

1.一种测试键结构，包含有：

多个晶体管，设置在晶圆的切割道内，且排列成2*N阵列，该2*N阵列包含有二直行与N横列，且所述晶体管分别包含栅极、源极、漏极与基体，

其中所述晶体管的所述源极全部彼此电性连接；以及

源极连接垫，其设置在该切割道内，

其中设置在该二直行其中一行的所述晶体管还定义为多个第一晶体管，设置在该二直行另外一行的所述晶体管更定义为多个第二晶体管，所述第一晶体管的各该源极与该源极连接垫的距离与所述第二晶体管的各该源极与该源极连接垫的距离相等。

2.如权利要求1所述的测试键结构，其中设置在同一横列的两个该晶体管的所述栅极彼此电性连接，且电性连接至设置在该切割道内的栅极连接垫。

3.如权利要求1所述的测试键结构，还包含第一漏极连接垫、第二漏极连接垫，设置在该切割道内。

4.如权利要求3所述的测试键结构，所述第一晶体管设置在该第一漏极连接垫与该源极连接垫之间，所述第二晶体管设置在该第二漏极连接垫与该源极连接垫之间。

5.如权利要求4所述的测试键结构，其中所述第一晶体管的各该漏极彼此电性连接，且还电性连接该第一漏极连接垫，所述第二晶体管的各该漏极彼此电性连接，且还电性连接该第二漏极连接垫，所述彼此电性连接的源极还电性连接至该源极连接垫。

6.如权利要求1所述的测试键结构，其中所有所述晶体管的所述基体彼此电性连接，且还电性连接至设于该切割道内的基体连接垫。

7.一种测试键群组，包含有：

多组测试键结构，设置在晶圆的切割道内，各该组测试键结构分别包含有多个晶体管，且排列成2*N阵列，该2*N阵列包含有二直行与N横列，且所述晶体管分别包含栅极、源极、漏极与基体；以及

多个连接垫，设置在该切割道内，

其中连接垫包括多个源极连接垫；

其中各该组测试键结构组内的所述晶体管的所述源极全部彼此电性连接，

其中所述源极连接垫分别设置在该测试键结构内，并与该测试键群组内的所述源极电性连接，且该测试键群组内的各该源极与该源极连接垫的距离相等。

8.如权利要求7所述的测试键群组，其中所述连接垫的数量等于用以进行测试的测试卡的探针的数量。

9.如权利要求8所述的测试键群组，其中所述测试键结构的组数藉由下列等式定义：

N_P＝3*N_S+1+N

其中N_P为所述连接垫的数量，N_S为所述测试键结构的组数，N为各该组测试键结构组内的横列数。

10.如权利要求9所述的测试键群组，其中所述连接垫包含多个漏极连接垫、多个栅极连接垫、以及基体连接垫。

11.如权利要求10所述的测试键群组，其中所述漏极连接垫的总数量为所述测试键结构的组数的两倍，所述源极连接垫的总数量等于所述测试键结构的组数，且所述栅极连接垫的总数量等于各该组测试键结构组内的横列数。

12.如权利要求7所述的测试键群组，其中不同组的所述测试键结构的间，各该源极以及与其电性连接的该源极连接垫的距离相等。

13.如权利要求7所述的测试键群组，其中至少一组该测试键群组的所述晶体管的尺寸不同于其他组所述测试键群组的所述晶体管的尺寸。