[发明专利]测试键结构与测试键群组

说明书

一种测试键结构与测试键群组，该测试键结构包含有多个晶体管，设置在一晶圆的一切割道内，且排列成一2*N阵列，该2*N阵列包含有二直行与N横列。该等晶体管分别包含一栅极、一源极、一漏极与一基体，且该等晶体管的该等源极全部彼此电性连接。

技术领域

本发明涉及一种测试键结构与测试键群组，尤其涉及一种排列成矩阵的测试键结构与测试键群组。

背景技术

在半导体工艺中，为维持产品质量的稳定，须针对所生产的半导体元件不断地进行测试。一般说来，可以利用各项半导体工艺在晶粒上制作元件的同时，在晶圆的切割道或一控片晶圆(monitor wafer)采用相同的步骤制作测试元件与测试键结构，来模拟晶粒上的相同工艺。随后，再利用探针等测试装置接触测试键，测量测试元件的各项参数，藉以检视工艺是否正常，而得以有效控制产品质量。

请参阅图1，图1为一已知测试键结构的示意图。如图1所示，已知测试键结构100设置在晶圆102的切割道104内。测试键结构100包含多个待测元件110，例如晶体管元件，且每一待侧元件110与四个连接垫122、124、126、128电性连接。这四个连接垫122、124、126、128藉由金属连线130依序与待测元件110的源极、漏极、栅极与基底(图皆未示)电性连接。且如图1所示，测试键结构100的待测元件110与其连接垫122、124、126、128呈单行排列，而设置在切割道104之内。

请继续参阅图1。由此可知，已知测试键结构100面临下述问题：已知测试键结构100中，任一待测元件110皆要求必须搭配四个容许探针接触而庞大的连接垫122、124、126、128，故已知测试键结构100将占据晶圆珍贵且有限的空间。更重要的是，由于切割道104的空间必须用以放置大面积的连接垫，使得已知测试键结构100可取得的样本数(samplesize)一直无法提升。因此，目前仍需要一种可增加样本数的测试键结构。

发明内容

因此，本发明的一目的即在于提供一种可增加样本数的测试键结构。

根据本发明的权利要求书，提供一种测试键结构，该测试键结构包含有多个晶体管，设置在一晶圆的一切割道内，且排列成一2*N阵列，该2*N阵列包含有二直行与N横列。该等晶体管分别包含一栅极、一源极、一漏极与一基体，且该等晶体管的该等源极全部彼此电性连接。

根据本发明的权利要求书，还提供一种测试键结构，该测试键结构包含有多个排列成一第一直行的第一晶体管，以及多个排列成一第二直行的第二晶体管。该等第一晶体管分别包含有一第一栅极、一第一源极、一第一漏极与一第一基体，而该等第二晶体管分别包含有一第二栅极、一第二源极、一第二漏极与一第二基体。另外，该等第二晶体管的尺寸不同于该等第一晶体管的尺寸，且该等第一晶体管的该等第一源极与该等第二晶体管的第二源极全部彼此电性连接。

根据本发明的权利要求书，还提供一种测试键群组，该测试键群组包含有多组测试键结构，设置在一晶圆的一切割道内，以及多个设置在该切割道内的连接垫。各该组测试键结构分别包含有多个晶体管，且排列成一2*N阵列，该2*N阵列包含有二直行与N横列。该等晶体管分别包含一栅极、一源极、一漏极与一基体，且各该组测试键结构组内的该等晶体管的该等源极全部彼此电性连接。

根据本发明所提供的测试键结构，任一测试键结构包含2*N个提供测试的晶体管，且该等晶体管的该等源极彼此电性连接，因而可共享一连接垫。并且该等测试键结构可以呈单行排列，而设置在切割道之内，形成测试键群组。更重要的是，本发明所提供的测试键结构与测试键群组可以以更经济的方式充分使用切割道中有限的面积，而在相同面积中容纳足够的连接垫以及更多的测试元件，故可有效提升样本数，更改善测试结果的可靠度。

附图说明

图1为一已知测试键结构的示意图。

图2为本发明提供的一测试键结构的一优选实施例的电路布局示意图。