[发明专利]成像装置和电子装置有效
| 申请号： | 201410395108.5 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104425528B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 堀清隆 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 成像 装置 电子 | ||
1.一种成像装置，包括：
插入件，在其上设置包括光接收部的图像传感器；
透光部件，设置在该光接收部上；以及
模制件，形成在具有矩形形状的该插入件的边侧并且粘合到该透光部件以支撑该透光部件，该模制件包括密封表面，该密封表面设置有突起物，所述突起物的顶端与所述透光部件的下表面接触，所述密封表面没有突起物的部分和所述透光部件之间设有粘合剂层。
2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
该突起物包括至少三个突起物。
3.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
该图像传感器的光接收表面和该透光部件之间具有中空结构。
4.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
该模制件和该透光部件通过热固树脂和紫外线固化树脂之一相互粘合。
5.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
该模制件由环氧树脂组合物制成。
6.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
该突起物通过利用模具对模制件塑形形成。
7.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
该突起物构造为具有圆形或矩形形状的突起物，并且该突起物的圆形或矩形的直径或宽度为从1μm至该密封表面和该透光部件重叠的长度。
8.根据权利要求1所述的成像装置，其中，
该突起物的高度为从1μm至1mm。
9.根据权利要求8所述的成像装置，其中，
该突起物的高度为从50μm至100μm。
10.根据权利要求1所述的成像装置，其中
该插入件由环氧树脂玻璃和陶瓷之一制成。
11.根据权利要求1所述的成像装置，其中
在该插入件上，还设置具有模数转换器(ADC)和数字信号处理器(DSP)之一的功能的信号处理芯片。
12.一种电子装置，包括：
成像装置，该成像装置包括：
插入件，在其上设置有包括光接收部的图像传感器，
透光部件，设置在该光接收部上，以及
模制件，形成在具有矩形形状的该插入件的边侧并且粘合到该透光部件以支撑该透光部件，该模制件包括密封表面，该密封表面设置有突起物，所述突起物的顶端与所述透光部件的下表面接触，所述密封表面没有突起物的部分和所述透光部件之间设有粘合剂层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
