[发明专利]一种柔性CIGS薄膜太阳能电池阻挡层的制备方法无效
| 申请号： | 201410395198.8 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104124310A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张宁;余新平;孙哲;陈玉峰 | 申请（专利权）人： | 北京四方继保自动化股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京金阙华进专利事务所(普通合伙) 11224 | 代理人： | 吴鸿维 |
| 地址： | 100085 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 cigs 薄膜 太阳能电池 阻挡 制备 方法 | ||
1.一种柔性CIGS薄膜太阳能电池阻挡层的制备方法，其特征在于，在柔性衬底上采用磁控溅射工艺沉积一层阻挡层。
2.根据权利要求1所述的柔性CIGS薄膜太阳能电池阻挡层的制备方法，其特征在于，采用的柔性衬底的材料为金属，优选为：不锈钢、铜、铝、镍。
3.根据权利要求1所述的柔性CIGS薄膜太阳能电池阻挡层的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法选用的靶材为市售钨钛合金靶，纯度为3N。
4.根据权利要求1所述的柔性CIGS薄膜太阳能电池阻挡层的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法中基片与靶材的距离为50-200mm。
5.根据权利要求1所述的柔性CIGS薄膜太阳能电池阻挡层的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法中的工作气体为纯度为4N的纯氩气、纯氮气、纯氧气，或者其中两种或两种以上的混合气体。
6.根据权利要求1所述的柔性CIGS薄膜太阳能电池阻挡层的制备方法，其特征在于，磁控溅射机的本底真空度为1.0×10-4Pa-1.0×10-2Pa，工作气压为0.1Pa-10Pa。
7.根据权利要求1所述的柔性CIGS薄膜太阳能电阻挡层的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法中基底温度为20-250℃，溅射时间为5-180min。
8.根据权利要求1所述的柔性CIGS薄膜太阳能电池阻挡层的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射法中溅射功率密度为0.02-10W/cm2。
9.根据权利要求1所述的柔性CIGS薄膜太阳能电池阻挡层的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为0.01-3μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
