[发明专利]一种柔性CIGS薄膜太阳能电池阻挡层的制备方法无效
申请号: | 201410395198.8 | 申请日: | 2014-08-12 |
公开(公告)号: | CN104124310A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 张宁;余新平;孙哲;陈玉峰 | 申请(专利权)人: | 北京四方继保自动化股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京金阙华进专利事务所(普通合伙) 11224 | 代理人: | 吴鸿维 |
地址: | 100085 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 cigs 薄膜 太阳能电池 阻挡 制备 方法 | ||
一、技术领域
本发明属于铜铟镓硒薄膜太阳电池技术领域,尤其涉及一种柔性衬底上阻挡层的制备方法。
二、背景技术
能源危机和环境污染是当今全球所面临的两大基本问题。太阳能因其覆盖面积广,取之不尽的优良特性,使之成为解决能源危机的一种重要途径。CIGS薄膜太阳能电池因为其材料光学带隙可调、抗辐射能力强、电池性能稳定、弱光性好等优点,使之成为薄膜太阳能电池中最有发展前景的光伏材料之一。
柔性衬底的CIGS薄膜太阳能电池以可绕曲的金属箔或者聚合物箔为衬底。其在空间应用是比较理想的光伏器件,CIGS柔性薄膜电池不仅重量比功率高,而且可弯曲折叠,不怕碰摔,可以应用在很多特殊的场合,包括屋顶、衣服上、汽车顶以及航空航天领域等等,具有广阔的应用范围和市场空间。
目前,柔性的CIGS薄膜太阳能电池多以聚合物箔和金属箔为衬底,相对于聚合物箔衬底,金属箔衬底价格较低,可以降低电池的成本,而且,高效率的器件吸收层需要更高的制备温度,金属箔衬底耐高温性能较好,在600℃以上也还具有比较好的机械稳定性和热稳定性,而聚合物箔衬底的软化温度低于500℃。
但是在高温制备CIGS薄膜的过程中,金属箔衬底中的有害元素(Fe等)会扩散至CIGS吸收层内,降低电池的光电转换性能。为了阻止衬底中的有害元素扩散至吸收层中,在沉积Mo背电极之前先沉积一层阻挡层,此阻挡层可以有效阻止有害元素的扩散,提升柔性电池的光电性能。
目前普遍使用的杂质阻挡层有Cr、Al2O3、SiOx、Si3N4、ZnO等材料,据报道Cr阻挡层可以有效阻止Fe等杂质元素的扩散,但Cr元素也会扩散到吸收层中,对电池性能的提升并没有起到有效的作用。Al2O3、SiOx、Si3N4、ZnO等阻挡层在电池的制备过程和使用过程中会出现开裂脱离的问题,从而降低的电池的成品率和使用寿命(Kessled F,Rudmann D.Technological aspects of flexible CIGS solar cells and modules[J].Solar Energy,2004,77:685-695)。本发明采用钨钛合金层作为柔性衬底和背电极之间的扩散阻挡层。
三、发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性CIGS薄膜太阳能电池中扩散阻挡层的制备方法,采用本发明提供的阻挡层材料和制备方法可以提高柔性CIGS薄膜太阳能电池的光电转换性能,降低制造成本,提高大面积薄膜制备的稳定性。
本发明是通过如下技术方案实现的:
所述的柔性CIGS薄膜太阳能电池阻挡层的制备方法,是在柔性衬底上采用磁控溅射方法制备一层钨钛合金阻挡层。
所述的柔性衬底为不锈钢、铜、铝、镍等金属衬底。
所述的磁控溅射法选用的靶材为市售钨钛合金靶,纯度为3N。
所述的磁控溅射法中基片与靶材的距离为50-200mm。
所述的磁控溅射法中的工作气体为纯度为4N的纯氩气、纯氮气、纯氧气或者其中两种或两种以上的混合气体。
所述的磁控溅射机的本底真空度为1.0×10-4Pa-1.0×10-2Pa,工作气压为0.1Pa-10Pa。
所述的磁控溅射法中基底温度为20-250℃,溅射时间为5-180min。
所述的磁控溅射法中溅射功率密度为0.02-10W/cm2。
所述阻挡层的厚度为0.01-3μm。
四、附图说明
图1为本发明制备的钨钛合金层的表面扫描电子显微镜(SEM)图。
图2为本发明制备的钨钛合金层的截面扫描电子显微镜(SEM)图。
五、具体实施方式
下面介绍本发明的实施例,但本发明绝非限于实施例。
实施例1:
制备柔性电池阻挡层:选用不锈钢(S430)作为柔性CIGS薄膜太阳能电池的衬底,将基片清洗干净后放入磁控溅射仪中。工作气体采用氩气,本底真空为1.0E-2Pa,工作气压为0.1Pa,溅射功率密度为0.03W/cm2,靶基距为200mm,溅射时间为20min,制备0.4μm的钨钛合金层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的