[发明专利]半导体发光器件光学封装结构

权利要求书

1.一种新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于包括：

半导体发光芯片，包括外延材料层，所述外延材料层的出光面上覆盖有透明导电层，所述透明导电层上覆盖有透明保护介质层，

以及，覆盖于所述透明保护介质层上的透明封装材料层，所述透明封装材料层对于所述外延材料层发射的光的折射率小于1.5，

并且，所述透明封装材料层对于所述外延材料层发射的光的折射率小于所述外延材料层、透明导电层和透明保护介质层中的任一者。

2.根据权利要求1所述的新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于所述透明封装材料层对于所述外延材料层发射的光的折射率小于1.45。

3.根据权利要求1或2所述的新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于所述透明封装材料层对于所述外延材料层发射的光的折射率小于1.45，但大于1.30。

4.根据权利要求1所述的新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于所述透明封装材料层具有非球面层状结构。

5.根据权利要求1所述的新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于所述透明封装材料层具有半球形或球冠形结构，且所述半球形结构的直径小于或等于所述芯片长边或宽边边长的1.5倍。

6.根据权利要求1或5所述的新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于所述透明封装材料层具有半球形或球冠形结构，且所述半球形结构的直径小于或等于所述芯片长边或宽边边长的1倍。

7.根据权利要求1所述的新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于所述透明导电层和所述透明保护介质层的光学厚度之和是发光中心波长的四分之一光学厚度的奇数倍。

8.根据权利要求1、2、4、5和7中任一项所述的新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于所述透明保护介质层与透明封装材料层之间还分布有透明防硫化层；

和/或，所述透明封装材料层上还覆盖有透明防硫化层。

9.根据权利要求8所述的新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于分布在所述透明保护介质层与透明封装材料层之间的透明防硫化层对于所述外延材料层发射的光的折射率大于1.46。

10.根据权利要求8所述的新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于覆盖于透明封装材料层上的透明防硫化层对于所述外延材料层发射的光的折射率小于所述透明封装材料层。

11.根据权利要求8所述的新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于所述透明防硫化层主要由耐紫外光及耐硫化的有机透明材料和/或无机透明材料组成。

12.根据权利要求9所述的新型半导体发光器件光学封装结构，其特征在于所述所述透明封装材料层主要由透明硅氧烷树脂组成。