[发明专利]闪存及其读取方法

权利要求书

1.一种闪存的读取方法，其特征在于，该闪存的阵列包括至少一个扇区，每个扇区包含N型阱和位于该N型阱中连接成矩形阵列的多个闪存单元，其中，每个闪存单元包含一个选择栅PMOS晶体管、一个控制栅PMOS晶体管和一个读取选择栅PMOS晶体管，所述选择栅PMOS晶体管、控制栅PMOS晶体管和读取选择栅PMOS晶体管通过第一电极和第二电极串连接，所述读取选择栅PMOS晶体管的栅氧化层电学厚度小于所述选择栅PMOS晶体管的栅氧化层电学厚度，所述读取选择栅PMOS晶体管的沟道长度小于所述选择栅PMOS晶体管的沟道长度，所述读取选择栅PMOS晶体管的阈值电压的绝对值低于所述选择栅PMOS晶体管的阈值电压的绝对值，所述第一电极为源极且第二电极为漏极，或第一电极为漏极且第二电极为源极；

在该闪存的闪存单元连接成的矩形阵列中，位于同一列的选择栅PMOS晶体管的第二电极连接在一起形成第一控制线，位于同一行的选择栅PMOS晶体管的栅极连接在一起形成第二控制线，每个扇区中的读取选择栅PMOS晶体管的第一电极连接在一起形成一条第三控制线，位于同一行的读取选择栅PMOS晶体管的栅极连接在一起形成第四控制线，位于同一行的控制栅PMOS晶体管的栅极连接在一起形成第五控制线；

所述读取方法包括以下步骤：

在执行读取操作时，设置每个扇区的所述N型阱的电位为电源电压，每个所述第二控制线的电位为-2～-0.5V，被选中进行读取的闪存单元的第一控制线的电位为电源电压，第三控制线、第四控制线和第五控制线的电位为0；

在执行读取操作时，设置未被选中进行读取的闪存单元的第四控制线的电位为电源电压，其中所述未被选中进行读取的闪存单元与被选中进行读取的闪存单元具有不同的第二控制线。

2.根据权利要求1所述的闪存的读取方法，其特征在于，在执行读取操作时，设置未被选中进行读取的闪存单元的第一控制线、第三控制线、第四控制线和第五控制线的电位为0，其中，所述未被选中进行读取的闪存单元与被选中进行读取的闪存单元具有同一条第二控制线和不同的第一控制线。

3.根据权利要求2所述的闪存的读取方法，其特征在于，在执行读取操作时，设置未被选中进行读取的闪存单元的第一控制线和第四控制线的电位为电源电压，第三控制线和第五控制线的电位为0，其中，所述未被选中进行读取的闪存单元与被选中进行读取的闪存单元具有同一条第一控制线和不同的第二控制线。

4.根据权利要求3所述的闪存的读取方法，其特征在于，在执行读取操作时，设置未被选中进行读取的闪存单元的第一控制线、第三控制线和第五控制线的电位为0，第四控制线的电位为电源电压，其中，所述未被选中进行读取的闪存单元与被选中进行读取的闪存单元具有不同的第一控制线和不同的第二控制线。

5.根据权利要求1所述的闪存的读取方法，其特征在于，在所述闪存单元中，所述选择栅PMOS晶体管的第一电极与控制栅PMOS晶体管的第二电极连接，所述控制栅PMOS晶体管的第一电极与读取选择栅PMOS晶体管的第二电极连接。

6.根据权利要求5所述的闪存的读取方法，其特征在于，所述读取选择栅PMOS晶体管的栅氧化层电学厚度为4～10nm，沟道长度为100～200nm，阈值电压为-0.6～-0.3V。

7.根据权利要求5所述的闪存的读取方法，其特征在于，所述读取选择栅PMOS晶体管的饱和电流为150～300μA/μm。

8.根据权利要求5所述的闪存的读取方法，其特征在于，所述选择栅PMOS晶体管的栅氧化层电学厚度为8～11nm，沟道长度为100～300nm，阈值电压为-1.5～-0.8V，饱和电流为80～100μA/μm。

9.根据权利要求1、5至8中任一项所述的闪存的读取方法，其特征在于，所述第一电极为源极，第二电极为漏极。