[发明专利]改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法有效
| 申请号： | 201410403327.3 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104157552B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 雷通 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 多孔 介电常数 材料 垂直 均匀 方法 | ||
1.一种改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法，其特征在于包括：
第一步骤，进行第一次低介电常数材料沉积以形成第一低介电常数材料层；
第二步骤，对第一低介电常数材料层执行等离子体固化以对第一低介电常数材料层的致孔剂进行驱除，由此形成等离子体固化后的低介电常数材料层；
第三步骤，在等离子体固化后的低介电常数材料层上进行第二次低介电常数材料沉积以形成第二低介电常数材料层；
第四步骤，对第二低介电常数材料层进行紫外光固化处理以形成多孔低介电常数材料。
2.根据权利要求1所述的改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法，其特征在于，第二步骤采用的等离子体固化为H2等离子体固化。
3.根据权利要求2所述的改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法，其特征在于，H2等离子体固化的工艺参数为：温度200-400℃，压力2-10torr，H2流量为1000-10000sccm，射频功率为100-1000w。
4.根据权利要求1或2所述的改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法，其特征在于，等离子体固化的时间在10s-100s。
5.根据权利要求1或2所述的改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法，其特征在于，第二低介电常数材料层的厚度为第一低介电常数材料层的三倍。
6.根据权利要求1或2所述的改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法，其特征在于，第四步骤中紫外光固化时的紫外光波长范围为200-400nm，固化时间为100-500s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
