[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；

在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；

在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙和源漏区；

去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；

通过栅极沟槽，进一步刻蚀鳍片，深入衬底中形成沟道区沟槽以便于通过长距离的晶格生长减少错位而增强外延生长的质量，所述沟道区沟槽底部具有倾斜侧壁的凹陷以用于构成外延生长的成核层所在区域；

在沟道区沟槽中外延生长形成沟道层，直至与栅极沟槽底部齐平；

在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。

2.如权利要求1的方法，其中，外延生长沟道层之前进一步包括，在沟道区沟槽中外延生长形成缓冲层。

3.如权利要求1或2的方法，其中，沟道层和/或缓冲层的材料选择Ge、GaAs、InP、GaSb、InAs、InSb、SiGe、Si:C、SiGe:C、应变硅(Strained-Si)、GeSn、GeSiSn的任意一种及其组合。

4.如权利要求1的方法，其中，形成栅极侧墙和源漏区的步骤进一步包括：

以栅极侧墙为掩模，刻蚀鳍片，形成源漏沟槽；

在源漏沟槽中外延生长形成抬升源漏区。

5.如权利要求1的方法，其中，刻蚀形成沟道区沟槽时，栅极侧墙保护了其下方的鳍片结构，使得剩余的鳍片结构至少包围了沟道层的侧面。

6.一种半导体器件，包括：衬底上沿第一方向延伸的多个鳍片，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片的栅极，位于栅极两侧的鳍片上的源漏区以及栅极侧墙，其中，鳍片中具有高迁移率材料构成的沟道层，鳍片至少包围了沟道层的侧面，所述沟道层的底部具有倾斜侧壁以构成外延生长的成核层且深入衬底中以便于通过长距离的晶格生长减少错位而增强外延生长的质量。

7.如权利要求6的半导体器件，其中，沟道层与鳍片之间还具有缓冲层。

8.如权利要求6或7的半导体器件，其中，沟道层和/或缓冲层的材料选自Ge、GaAs、InP、GaSb、InAs、InSb、SiGe、Si:C、SiGe:C、应变硅(Strained-Si)、GeSn、GeSiSn的任意一种及其组合。