[发明专利]防止在切割过程中产生毛边的底部基板及其制造方法有效
申请号: | 201410405998.3 | 申请日: | 2014-08-18 |
公开(公告)号: | CN104377116B | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 安范模;朴胜浩;尹京子 | 申请(专利权)人: | 普因特工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张春媛;阎娬斌 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 切割 过程 产生 毛边 底部 及其 制造 方法 | ||
1.一种防止在切割过程中产生毛边的底部基板,其包括:
相对于底部基板在一个方向上堆叠的多个导电层;
至少一个绝缘层,其与所述导电层交替地堆叠并且电气隔离所述导电层;及
通孔,其在接触区域处穿透覆盖所述绝缘层的所述底部基板,在根据芯片基板的预定区域切割所述底部基板期间,切割表面和所述绝缘层在所述接触区域处相交,
其中所述通孔垂直地穿透所述绝缘层和所述导电层的邻近所述绝缘层的部分,使得所述绝缘层被所述通孔切割成两个隔离的部分。
2.根据权利要求1所述的防止在切割过程中产生毛边的底部基板,
其特征在于,所述底部基板的由所述通孔形成的通孔表面相对于所述底部基板的覆盖所述绝缘层的切割表面以向内方向形成。
3.根据权利要求2所述的防止在切割过程中产生毛边的底部基板,
还包括腔,该腔包括凹坑,该凹坑相对于覆盖所述绝缘层的区域从所述底部基板的上表面向下地到达预定深度。
4.根据权利要求3所述的防止在切割过程中产生毛边的底部基板,
其特征在于,其还包括:
阻焊部分,以用于防止暴露在所述底部基板之下的所述绝缘层的性能下降。
5.根据权利要求3所述的防止在切割过程中产生毛边的底部基板,
还包括光学器件芯片,该光学器件芯片安装在所述腔内的所述底部基板上。
6.根据权利要求5所述的防止在切割过程中产生毛边的底部基板,
其特征在于,
所述光学器件芯片粘结到由所述腔内的所述绝缘层隔离的所述导电层中的任意一个导电层。
7.根据权利要求6所述的防止在切割过程中产生毛边的底部基板,
其特征在于,
所述光学器件芯片的一个电极电连接至所述导电层中的所述光学器件芯片未连接到其上的另一个导电层。
8.根据权利要求7所述的防止在切割过程中产生毛边的底部基板,
其特征在于,其还包括:
所述底部基板的上表面上的电极指示标记物,用于为由所述绝缘层隔离的所述导电层之中的至少任意一个电极层表明电极。
9.一种制造防止在切割过程中产生毛边的底部基板的方法,其包括下述步骤:
在相对于底部基板的一个方向上交替地堆叠多个导电层和用于电隔离所述导电层的至少一个绝缘层;及
在接触区域处形成穿透覆盖所述绝缘层的所述底部基板的通孔,在根据芯片基板的预定区域切割所述底部基板期间,切割表面和所述绝缘层在所述接触区域处相交,
其中所述通孔垂直地穿透所述绝缘层和所述导电层的邻近所述绝缘层的部分,使得所述绝缘层被所述通孔切割成两个隔离的部分。
10.根据权利要求9所述的制造防止在切割过程中产生毛边的底部基板的方法,
其特征在于,所述底部基板的由所述通孔形成的通孔表面由相对于所述底部基板的覆盖所述绝缘层的切割表面以向内方向形成。
11.根据权利要求10所述的制造防止在切割过程中产生毛边的底部基板的方法,
还包括
在所述形成通孔的步骤之前的形成腔的步骤,该腔包括凹坑,该凹坑相对于覆盖所述绝缘层的区域从形成有所述通孔的所述底部基板的上表面向下地到达预定深度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造