[发明专利]半导体制造装置在审
申请号: | 201410406205.X | 申请日: | 2014-08-18 |
公开(公告)号: | CN104916566A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 山下大辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 | ||
1.一种半导体制造装置,具备:
切割部,在用于粘贴到晶圆上的贴片上形成切口,该切口用于切割出为了保护所述晶圆而使用的第一贴片和为了剥离所述第一贴片而使用的第二贴片;以及
粘贴部,将所述第一贴片粘贴到所述晶圆上。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,
所述切割部具备:
第一切割部,在所述贴片上形成环形状的第一切口;
第二切割部,在所述贴片上形成将所述第一切口包围的环形状的第二切口;以及
第三切割部,在所述贴片上形成将所述第一切口及所述第二切口之间的区域分割为多个区域的第三切口。
3.根据权利要求2所述的半导体制造装置,
所述切割部通过使所述第一切割部及所述第二切割部同时移动,形成所述第一切口及所述第二切口。
4.根据权利要求2所述的半导体制造装置,
所述切割部通过使所述第一切割部旋转而形成所述第一切口,通过使所述第二切割部旋转而形成所述第二切口。
5.根据权利要求4所述的半导体制造装置,
所述切割部通过使所述第三切割部在所述第一切割部及所述第二切割部的旋转轴的径向上移动,形成所述第三切口。
6.根据权利要求2所述的半导体制造装置,
所述切割部使所述第三切割部能够相对于所述第一切割部及所述第二切割部独立移动。
7.根据权利要求1所述的半导体制造装置,
所述粘贴部通过将所述第一贴片吸附而将所述第一贴片从所述贴片脱模,将已脱模的所述第一贴片粘贴到所述晶圆上。
8.根据权利要求7所述的半导体制造装置,
所述粘贴部一边使所述第二贴片残留在所述贴片上,一边将所述第一贴片从所述贴片脱模。
9.根据权利要求7所述的半导体制造装置,
所述粘贴部具备:具有多个孔的部件;以及经由所述部件将所述第一贴片吸附的吸附部。
10.根据权利要求1所述的半导体制造装置,
所述第一贴片的形状是圆形,所述第二贴片的形状是扇形。
11.一种半导体制造装置,具备:
第一粘贴部,将第二贴片粘贴到已粘贴有第一贴片的晶圆和用于将所述第一贴片从所述晶圆剥离的剥离辅助机构上;
第二粘贴部,将第三贴片粘贴到所述晶圆上的所述第一贴片及所述第二贴片和所述剥离辅助机构上;以及
剥离部,通过将所述第三贴片从所述晶圆剥离,将所述第一贴片及所述第二贴片从所述晶圆剥离。
12.根据权利要求11所述的半导体制造装置,
所述第一贴片及所述第二贴片从同一贴片切割出来。
13.根据权利要求11所述的半导体制造装置,
所述第一粘贴部将所述第二贴片吸附,从而将所述第二贴片从所述贴片脱模,将已脱模的所述第二贴片粘贴到所述晶圆和所述剥离辅助机构上。
14.根据权利要求11所述的半导体制造装置,
所述第一粘贴部通过形状小于所述第二贴片的吸附垫来吸附所述第二贴片。
15.根据权利要求11所述的半导体制造装置,
所述第二粘贴部以使所述第三贴片与所述晶圆处于非接触状态的方式将所述第三贴片粘贴到所述晶圆上的所述第一贴片及所述第二贴片和所述剥离辅助机构上。
16.根据权利要求11所述的半导体制造装置,
所述第二贴片的宽度大于所述第三贴片的宽度。
17.一种半导体制造装置,具备:
调整部,调整剥离辅助机构的位置,使得晶圆上的第一贴片的上表面的高度和用于将所述第一贴片从所述晶圆剥离的所述剥离辅助机构的上表面的高度对齐;
粘贴部,在调整了所述剥离辅助机构的位置之后,将第二贴片粘贴到所述晶圆上的所述第一贴片和所述剥离辅助机构上;以及
剥离部,通过将所述第二贴片从所述晶圆剥离,将所述第一贴片从所述晶圆剥离。
18.根据权利要求17所述的半导体制造装置,
所述粘贴部以使所述第二贴片与所述晶圆处于非接触状态的方式将所述第二贴片粘贴到所述晶圆上的所述第一贴片和所述剥离辅助机构上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410406205.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件的制造方法
- 下一篇:反应腔室以及等离子体加工设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造