[发明专利]等离子切割方法及等离子切割装置

权利要求书

1.一种等离子切割方法，对包括基板、分离形成在上述基板上的多个半导体层、设在各个上述半导体层上的金属电极、和钝化膜的晶片上的上述多个半导体层之间的切割区域的上述基板进行等离子蚀刻，上述钝化膜将上述半导体层覆盖，并具有使上述金属电极的一部分露出的焊盘开口部，其特征在于，包括如下处理：

在含有第1气体的等离子体的气体环境中，使膜堆积到上述切割区域及在上述焊盘开口部露出的上述金属电极上的堆积处理；和

在含有第2气体的等离子体的气体环境中，对支承上述晶片的下部电极赋予第1偏压电力而将上述膜蚀刻的蚀刻处理，

在上述蚀刻处理中，当检测到上述切割区域的上述基板的伴随着蚀刻的发光时，使上述第1偏压电力下降到第2偏压电力，将上述基板蚀刻。

2.如权利要求1所述的等离子切割方法，其特征在于，

上述第2偏压电力被赋予给上述下部电极时的对上述晶片的入射离子的能量，比将上述金属电极溅蚀的能量低。

3.如权利要求1所述的等离子切割方法，其特征在于，

将上述堆积处理和上述蚀刻处理交替地重复多次，将上述切割区域的上述基板蚀刻。

4.如权利要求1所述的等离子切割方法，其特征在于，

上述焊盘开口部的纵横比小于上述切割区域的纵横比。

5.如权利要求1所述的等离子切割方法，其特征在于，

上述基板是硅基板。

6.如权利要求1所述的等离子切割方法，其特征在于，

上述第1气体包括碳氟化合物类气体，上述第2气体包括氟类气体。

7.如权利要求6所述的等离子切割方法，其特征在于，

上述第1气体包括C₄F₈，上述第2气体包括SF₆。

8.如权利要求1所述的等离子切割方法，其特征在于，

上述钝化膜含有聚酰亚胺。

9.如权利要求1所述的等离子切割方法，其特征在于，

上述钝化膜含有氧化硅。

10.如权利要求1所述的等离子切割方法，其特征在于，

上述金属电极含有铝。

11.一种等离子切割装置，其特征在于，具备：

处理室，能够维持等离子体气体环境；

下部电极，将包括基板、分离形成在上述基板上的多个半导体层、设在各个上述半导体层上的金属电极、和钝化膜的晶片在上述处理室内支承，上述钝化膜将上述半导体层覆盖并具有使上述金属电极的一部分露出的焊盘开口部；

电源，对上述下部电极赋予偏压电力；

传感器，检测上述基板的伴随着蚀刻的发光；

控制部，能够切换堆积处理和蚀刻处理，上述堆积处理在含有第1气体的等离子体的气体环境中，使膜堆积到上述多个半导体层之间的切割区域及在上述焊盘开口部露出的上述金属电极上，上述蚀刻处理在含有第2气体的等离子体的气体环境中对上述下部电极赋予第1偏压电力，将上述膜蚀刻，当在上述蚀刻处理中通过上述传感器检测到上述基板的蚀刻时，使上述第1偏压电力下降到第2偏压电力。

12.如权利要求11所述的等离子切割装置，其特征在于，

上述第2偏压电力被赋予给上述下部电极时的对上述晶片的入射离子的能量，比将上述金属电极溅蚀的能量低。

13.如权利要求11所述的等离子切割装置，其特征在于，

上述控制部将上述堆积处理和上述蚀刻处理交替地多次切换。

14.如权利要求11所述的等离子切割装置，其特征在于，

上述焊盘开口部的纵横比小于上述切割区域的纵横比。

15.如权利要求11所述的等离子切割装置，其特征在于，

上述基板是硅基板。

16.如权利要求11所述的等离子切割装置，其特征在于，

上述钝化膜含有聚酰亚胺。

17.如权利要求11所述的等离子切割装置，其特征在于，

上述钝化膜含有氧化硅。

18.如权利要求11所述的等离子切割装置，其特征在于，

上述金属电极含有铝。