[发明专利]等离子切割方法及等离子切割装置

说明书

相关申请

本申请享受以日本专利申请2014－53705号(申请日：2014年3月17日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及等离子切割(dicing)方法及等离子切割装置。

背景技术

伴随电子设备的小型化，半导体装置的小型化进展，要求半导体元件的进一步的薄型化。薄化的半导体元件在切割工序中容易受到裂纹或碎屑(chipping)的损伤，担心加工成品率的下降。作为将这样的薄化的半导体元件单片化的方法，代替使用刀片的机械性的切断方法，而提出了通过等离子蚀刻将半导体晶片切断的等离子切割方法。

在等离子切割方法中，在晶片状态的基板上形成半导体元件后，将基板的表面侧或背面侧粘贴到支承带(薄片)上，在与支承带相反侧的面上形成光敏抗蚀剂或金属等的掩模层，通过将切割区域的掩模层除去，形成等离子切割用的掩模图案。

但是，为了在将晶片粘贴在支承带上的状态下形成切割用掩模图案，要求高成本的复杂的处理工序，可能带来切割工序整体的成本提高。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够抑制在焊盘开口部等露出的金属电极等的溅蚀的等离子切割方法及等离子切割装置。

根据技术方案的等离子切割方法，对包括基板、分离形成在上述基板上的多个半导体层、设在各个上述半导体层上的金属电极、和钝化膜在内的晶片上的上述多个半导体层之间的切割区域的上述基板进行等离子蚀刻，上述钝化膜将上述半导体层覆盖并具有使上述金属电极的一部分露出的焊盘开口部。此外，根据技术方案的等离子切割方法，包括如下处理，即：在含有第1气体的等离子体的气体环境中，使膜堆积到上述切割区域及在上述焊盘开口部露出的上述金属电极上的堆积处理、和在含有第2气体的等离子体的气体环境中，对支承上述晶片的下部电极赋予第1偏压电力而将上述膜蚀刻的蚀刻处理。此外，根据技术方案的等离子切割方法，在上述蚀刻处理中，当检测到上述切割区域的上述基板的伴随着蚀刻的发光时，使上述第1偏压电力下降到第2偏压电力，将上述基板蚀刻。

附图说明

图1是实施方式的等离子切割装置的示意图。

图2(a)及图2(b)是实施方式的晶片的示意剖视图。

图3(a)～图3(d)是表示实施方式的等离子切割方法的示意剖视图。

图4是表示实施方式的等离子切割方法的时序图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。另外，在各图中，对于相同的要素赋予了相同的标号。

在由晶片工艺形成半导体元件后另外形成等离子切割用的掩模图案会导致成本上升。所以，根据实施方式，将形成在半导体元件的表面上的元件保护用的钝化膜也兼用作等离子切割时的掩模。

钝化膜将半导体元件的半导体层及金属电极覆盖。此外，切割区域的基板不被钝化膜覆盖而露出。进而，金属电极的一部分也从钝化膜露出，露出的金属电极成为承担与外部电路的电连接的焊盘。

从生产效率这一点看，在切割前的晶片状态下，在全部的元件的钝化膜上一起形成焊盘开口部，使金属电极露出。

因而，金属电极的露出部在等离子切割时被暴露在等离子体中，有通过被朝向晶片加速的离子将金属电极溅蚀的担心。如果被溅蚀的金属成分飞散而附着到钝化膜上，则可能成为短路等的不良状况的原因。

所以，根据实施方式，提供一种将钝化膜用作掩模、并且能够防止露出到焊盘开口部的金属电极的溅蚀的等离子切割方法及等离子切割装置。

图1是实施方式的等离子切割装置的示意图。

在处理室52内设有下部电极53。下部电极53也兼作为晶片W的支承部，在下部电极53上支承着切割对象的晶片W。此外，下部电极53与设在处理室52之外的高频电源54连接，从高频电源54对下部电极53施加偏压电力。

实施方式的等离子切割装置具有例如ICP(电感耦合等离子体，Inductively Coupled Plasma)型的等离子体发生机构。在处理室52的上部设有等离子体发生部58。在等离子体发生部58的周围卷绕着线圈64，线圈64与高频电源57连接。

或者，等离子体发生机构也可以是电容耦合型(平行平板型)、ECR(电子回旋共振，Electron Cyclotron Resonance)型等的其他机构。

在等离子体发生部58上连接着气体导入管63。气体导入管63与第1气体的供给源61和第2气体的供给源62连接。