[发明专利]一种复合基板微盲孔孔壁的凹蚀方法在审
申请号: | 201410408202.X | 申请日: | 2014-08-19 |
公开(公告)号: | CN104244611A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 贾卫东;魏军锋 | 申请(专利权)人: | 西安三威安防科技有限公司 |
主分类号: | H05K3/42 | 分类号: | H05K3/42 |
代理公司: | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人: | 康凯 |
地址: | 710000 陕西省西安市高新*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 复合 基板微盲孔孔壁 方法 | ||
技术领域
本发明属于电子工艺领域,尤其涉及一种复合基板微盲孔孔壁的凹蚀方法。
背景技术
在复合基板的制作过程中,金属化孔的可靠性是保证天线电性能指标的关键,孔金属化工艺是解决如何在孔截面上覆盖一层均匀的和耐热冲击的金属铜,而在进行孔金属化前需首先都孔壁进行改性处理,通过凹蚀来实现,凹蚀能够对孔壁PTFE树脂改性的同时,增加孔内化学镀铜层与内层铜环连接面积,从而增加金属化孔的可靠性,目前同常的做法是采用化学方法处理,化学凹蚀由于受到孔径和板材对水表面张力的影响,对孔厚径比有一定的限制,尤其是盲孔的凹蚀;现有的工艺中多采用混合材料的高频层压板,实用的材料树脂不尽相同,化学处理不能够对所有的树脂同时起到很好的凹蚀作用,难以对不同树脂同样提供均匀良好的附着力,在金属化后经常出现孔壁空洞,严重时甚至出现开路短路现象。
发明内容
本发明旨在解决上述问题,提供一种有效对复合基板孔壁进行处理的方法。
一种复合基板微盲孔孔壁的凹蚀方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)将高浓度的N2气体注入反应装置,使得N2的自由基与孔壁附有的气体分子反应,使孔壁清洁,同时对于印制板进行预热,使得高分子材料处于一定的活化状态;
(2)以O2和CF4为原始气体,将其混合反应后得到O、F等离子体,使其与树脂反应,使得孔壁凹蚀反应;
(3)以O2为原始气体,产生的等离子体与反应残余物反应使孔壁达到清洁。
本发明所述的一种复合基板微盲孔孔壁的凹蚀方法,其特征在于所述步骤(2)中O2的含量为85%~90%;CF4的含量为15%~10%。
本发明所述的一种复合基板微盲孔孔壁的凹蚀方法,其特征在于所述步骤(2)中凹蚀反应后,孔壁的凹蚀深度为5μm~80μm。
本发明所述的一种复合基板微盲孔孔壁的凹蚀方法,其特征在于步骤(1)中对印制板的预热温度为90℃~130℃。
本发明所述的一种复合基板微盲孔孔壁的凹蚀方法,所提供的基于等离子体的方法,对不同树脂都具有均匀一致的蚀刻速度,在孔壁很容易形成优良的凹蚀效果,有效提高了复合基板中各类导通孔的孔壁金属化质量及可靠性,为复合基板的电气性提供了必要的保证,本发明所述方法操作简单,易于推广。
具体实施方式
一种复合基板微盲孔孔壁的凹蚀方法,包括如下步骤:
(1)将高浓度的N2气体注入反应装置,使得N2的自由基与孔壁附有的气体分子反应,使孔壁清洁,同时对于印制板进行预热,使得高分子材料处于一定的活化状态;
(2)以O2和CF4为原始气体,将其混合反应后得到O、F等离子体,使其与树脂反应,使得孔壁凹蚀反应;
(3)以O2为原始气体,产生的等离子体与反应残余物反应使孔壁达到清洁。
本发明所述的一种复合基板微盲孔孔壁的凹蚀方法,所述步骤(2)中O2的含量为85%~90%;CF4的含量为15%~10%。所述步骤(2)中凹蚀反应后,孔壁的凹蚀深度为5μm~80μm。步骤(1)中对印制板的预热温度为90℃~130℃。在整个的反应过程中,N2提供了良好的反应条件,起到表面活化的作用;O2作为反应气体,进行氧化处理,主要用于高分子材料表面活化和有机污染物的去除;CF4的作用是用于有机物的蚀刻和清除,真正起到蚀刻作用的是O原子,加入CF4气体是为了引入F原子。
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