[发明专利]电感结构及其制作方法有效
申请号: | 201410408611.X | 申请日: | 2014-08-19 |
公开(公告)号: | CN104425462B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 赖伟铭;胡毓文 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电感 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种电感结构,其特征在于,包含:
一基板,具有多个焊垫;
一保护层,位于该基板与所述焊垫上,该保护层具有多个保护层开口,所述焊垫分别由所述保护层开口露出;
一图案化的导电层,位于所述焊垫与该保护层紧邻所述保护层开口的表面上;
一第一铜块,位于该导电层上;
一第二铜块,位于该导电层上;
一扩散阻障层,位于该第一铜块上,使该第一铜块位于该扩散阻障层与该导电层之间;以及
一抗氧化层,位于该扩散阻障层上,且该第二铜块上无该扩散阻障层与该抗氧化层。
2.根据权利要求1所述的电感结构,其特征在于,还包含:
一非金属阻隔层,位于该保护层、该第一铜块、该第二铜块、该扩散阻障层与该抗氧化层上,该非金属阻隔层具有一非金属阻隔层开口,且该抗氧化层由该非金属阻隔层开口露出。
3.根据权利要求2所述的电感结构,其特征在于,该非金属阻隔层的材质包含氧化物或氮化物。
4.根据权利要求1所述的电感结构,其特征在于,还包含:
一金属阻隔层,覆盖于该第一铜块、该第二铜块、该扩散阻障层与该抗氧化层的表面上。
5.根据权利要求4所述的电感结构,其特征在于,该金属阻隔层的材质包含金。
6.根据权利要求1所述的电感结构,其特征在于,该扩散阻障层的材质包含镍。
7.根据权利要求1所述的电感结构,其特征在于,该抗氧化层的材质包含金。
8.一种电感结构的制作方法,其特征在于,包含下列步骤:
a提供具有多个焊垫的一基板;
b于该基板与所述焊垫上形成具有多个保护层开口的一保护层,使所述焊垫分别由所述保护层开口露出;
c于所述焊垫与该保护层上形成一导电层;
d于该导电层上形成一图案化的第一光阻层,使紧邻所述保护层开口的该导电层由该第一光阻层的多个第一光阻层开口露出;
e于所述第一光阻层开口中的该导电层上分别形成一第一铜块与一第二铜块;
f于该第一光阻层上形成一图案化的第二光阻层,其中该第二光阻层的一第二光阻层开口对准于该第一铜块,使该第一铜块由该第二光阻层开口与对应的该第一光阻层开口露出;
g于露出该第二光阻层开口的该第一铜块上依序形成一扩散阻障层与一抗氧化层,其中该第二铜块上无该扩散阻障层与该抗氧化层;以及
h去除该第一光阻层、该第二光阻层及未被该第一铜块与该第二铜块覆盖的该导电层。
9.根据权利要求8所述的电感结构的制作方法,其特征在于,还包含:
于该保护层、该第一铜块、该第二铜块、该扩散阻障层与该抗氧化层上形成一非金属阻隔层;以及
图案化该非金属阻隔层,使该抗氧化层由该非金属阻隔层的一非金属阻隔层开口露出。
10.根据权利要求8所述的电感结构的制作方法,其特征在于,还包含:
形成覆盖该第一铜块、该第二铜块、该扩散阻障层与该抗氧化层的表面上的一金属阻隔层。
11.根据权利要求10所述的电感结构的制作方法,其特征在于,于该第一铜块、该第二铜块、该扩散阻障层与该抗氧化层的表面上形成该金属阻隔层的步骤包含:
于该第一铜块、该第二铜块、该扩散阻障层与该抗氧化层的表面上化学镀该金属阻隔层。
12.根据权利要求8所述的电感结构的制作方法,其特征在于,该步骤b包含:
图案化该保护层,使该保护层具有所述保护层开口。
13.根据权利要求8所述的电感结构的制作方法,其特征在于,该步骤e包含:
于所述第一光阻层开口中的该导电层上电镀该第一铜块与该第二铜块。
14.根据权利要求8所述的电感结构的制作方法,其特征在于,该步骤g包含:
于露出该第二光阻层开口的该第一铜块上依序电镀该扩散阻障层与该抗氧化层。
15.根据权利要求8所述的电感结构的制作方法,其特征在于,该步骤h包含:
蚀刻未被该第一铜块与该第二铜块覆盖的该导电层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精材科技股份有限公司,未经精材科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410408611.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:集成无源器件的结构及制造方法
- 下一篇:使用多层结构制造的半导体逻辑电路