[发明专利]激光光源有效

专利信息
申请号: 201410409462.9 申请日: 2011-04-06
公开(公告)号: CN104201559B 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: A.布赖德纳泽尔;A.S.阿夫拉梅斯库;A.莱尔;S.陶茨 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01S5/026;H01S5/028
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 激光 光源
【权利要求书】:

1.一种用于发出具有垂直远场射束轮廓(121)的相干电磁辐射(10)的激光光源,包含:

-用于产生相干电磁辐射的半导体层组(1),在基底(2)上具有有源区(3),其中在运行中至少从射束输出耦合面(4)的主发射区(5)以射束方向(11)发出相干电磁辐射,通过所述半导体层组(1)的侧面形成射束输出耦合面(4),

-过滤元件(13),其在垂直的远场射束轮廓(121)中抑制在运行中产生、从射束输出耦合面(4)的相对于所述主发射区(5)垂直偏移的并且在空间上分离的副发射区(6)发出的相干电磁辐射(12),

其中所述半导体层组(1)和所述过滤元件(13)分别布置在热沉(14)上,以及

其中所述过滤元件(13)相对于所述主发射区(5)并且相对于所述副发射区(6)垂直偏移地从射束输出耦合面(4)延伸开,其中,所述过滤元件(13)能具有平行于射束方向(11)的主延伸面。

2.根据权利要求1的激光光源,其中,所述过滤元件(13)在所述基底(2)的、与所述有源区(3)相对的底面上包含至少一个空隙(136),其中所述半导体层组(1)是基于Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料体系或Ⅱ-Ⅵ化合物半导体材料体系。

3.根据权利要求2的激光光源,其中,所述至少一个空隙(136)与所述射束输出耦合面(4)和/或与所述射束输出耦合面(4)相对的基底(2)的背面(16)分别间隔开。

4.根据权利要求2的激光光源,其中,所述至少一个空隙(136)包含多个在射束方向(11)上连续布置的空隙(136)。

5.根据权利要求2的激光光源,其中,所述空隙(136)从所述射束输出耦合面(4)一直延伸到与所述射束输出耦合面(4)相对的基底(2)的背面(16)。

6.根据权利要求2至5中任一项的激光光源,其中,所述至少一个空隙(136)至少部分以吸收相干电磁辐射的材料(132)和/或导热材料填充。

7.根据权利要求2的激光光源,其中,所述空隙包含所述基底(2)在射束输出耦合面(4)上的倾斜(137)并且通过该倾斜(137)的至少一部分来形成所述副发射区(6)。

8.根据权利要求2至5中任一项的激光光源,其中,所述过滤元件(13)在所述主发射区(5)和所述基底(2)之间包含至少一个吸收层,其拥有吸收相干电磁辐射的半导体材料(135)。

9.按照权利要求8的激光光源,其中,在所述至少一个吸收层和所述基底(2)之间布置有反射层。

10.根据权利要求1的激光光源,其中,所述过滤元件(13)在所述主发射区(5)和所述基底(2)之间包含至少一个吸收层,其拥有吸收相干电磁辐射的半导体材料(135),其中所述半导体层组(1)是基于Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料体系或Ⅱ-Ⅵ化合物半导体材料体系。

11.按照权利要求10的激光光源,其中,在所述至少一个吸收层和所述基底(2)之间布置有反射层。

12.按照权利要求2至5中任一项的激光光源,其中,还包含附加的过滤元件,该附加的过滤元件直接在所述射束输出耦合面(4)上具有针对由所述半导体层组(1)产生的相干电磁辐射的第一吸收体(132)和/或直接在与所述射束输出耦合面(4)相对的、半导体层组(1)的背面上具有第二吸收体(134)。

13.按照权利要求12的激光光源,其中,由所述主发射区(5)发出的电磁辐射导致在所述主发射区(5)内第一吸收体(132)的吸收作用的自调整降低和/或在与所述主发射区(5)相对的区域内第二吸收体(134)的吸收作用的自调整降低。

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