[发明专利]激光光源

说明书

本发明涉及一种激光光源，尤其是用于发出具有垂直远场射束轮廓的相干电磁辐射的激光光源，包含:用于产生相干电磁辐射的半导体层组，在基底上具有有源区，其中在运行中至少从射束输出耦合面的主发射区以射束方向发出相干电磁辐射，通过所述半导体层组的侧面形成射束输出耦合面；过滤元件，其在垂直的远场射束轮廓中抑制在运行中产生、从射束输出耦合面的与所述主发射区垂直偏移的并且在空间上分离的副发射区发出的相干电磁辐射；其中所述半导体层组和所述过滤元件分别布置在散热器上，以及其中所述过滤元件与所述主发射区并且与所述副发射区垂直偏移地从射束输出耦合面延伸开，所述过滤元件特别可以具有平行于射束方向的主延伸面。

本申请是申请号为201180029449.5、申请日为2011年4月6日、发明名称为“激光光源”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本专利申请要求德国专利申请10 2010 015 197.1的优先权，其公开内容通过回引而结合于此。

本发明涉及一种激光光源。

背景技术

在许多应用领域对激光二极管的射束质量提出越来越高的要求。如此高要求的应用领域的实例是例如投影应用。在如此的应用中激光束通常照射到时而远离的屏幕上，激光射束的远场质量确定了投影应用的质量并因此确定了图像质量，这是由观察者能够察觉到的。对此远场射束轮廓的质量决定激光束的可调焦性和可对准性，因此优选使用具有高斯形状射束轮廓的单模激光二极管。远场射束轮廓与高斯形状射束轮廓的偏差导致受限的可聚焦性和可对准性。

在通常的激光二极管产品中一般会发现一部分二极管、其虽然满足所有功率标准、可是在垂直远场中显示出干扰。这例如可能在垂直的远场射束轮廓中通过最大强度表示，其除了在主发射锥体外在某一角度范围内出现。基于如此非高斯远场射束轮廓的上述缺点通常舍弃这种部件。

垂直远场射束轮廓的低强度干扰虽然不会必然导致激光二极管的弃用，可是仍然可能导致成像特性的一定损失。在已知的激光二极管中在垂直的远场射束轮廓中存在如此的或多或少强度的干扰，因为通常的外延生长设计目前不足以定义快速轴远场射束了轮廓、也就是在边发射的激光二极管中垂直的远场射束轮廓，以便在所有部件中实现所希望的高斯远场射束轮廓。

除了已经提到的、从100%测量远场中选择部件外、这虽然成功得以使用，可是同时由于因弃用而引起的成品率下降也提高了生产成本，或除了容忍导致投影图像逸散的干扰之外、例如从US 7,103,082 B2中也已知了用于改善远场的侧面芯片结构，可是其没有套用于垂直远场上。

在固体激光器或者固体激光系统中如此提到的振荡模阑（Modenblende）也可能有助于远场改善，可是振荡模阑在调整过程中是非常昂贵的并且不能用于改善半导体激光器、比如基于氮化物的二极管激光器的垂直远场射束轮廓。

发明内容

至少一个实施形式的技术问题是：给出一个具有半导体层组的激光光源，其用于发射具有垂直远场射束轮廓的相干电磁辐射。通过如下所述的方案来解决该技术问题。该对象的有益实施形式和改进从下面的描述和附图说明得出。

根据本发明的一种用于发出具有垂直远场射束轮廓的相干电磁辐射的激光光源，包含:用于产生相干电磁辐射的半导体层组，在基底上具有有源区，其中在运行中至少从射束输出耦合面的主发射区以射束方向发出相干电磁辐射，通过所述半导体层组的侧面形成射束输出耦合面；过滤元件，其在垂直的远场射束轮廓中抑制在运行中产生、从射束输出耦合面的相对于所述主发射区垂直偏移的并且在空间上分离的副发射区发出的相干电磁辐射；其中所述半导体层组和所述过滤元件分别布置在热沉上，以及所述过滤元件相对于所述主发射区并且相对于所述副发射区垂直偏移地从射束输出耦合面延伸开，所述过滤元件特别可以具有平行于射束方向的主延伸面。