[发明专利]一种沟道刻蚀工艺的监测方法在审
申请号: | 201410409503.4 | 申请日: | 2014-08-19 |
公开(公告)号: | CN105448758A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 杨涛;王桂磊;陈韬;崔虎山;卢一泓;李俊峰;赵超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 王立民;胡湘根 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沟道 刻蚀 工艺 监测 方法 | ||
1.一种沟道刻蚀工艺的监测方法,其特征在于,包括:
提供去除鳍形成开口后的衬底的质量目标值以及其容差范围;
提供衬底,在衬底上形成鳍及鳍之间的介质材料;
去除鳍,以形成开口;
获得去除鳍后的衬底的质量;
判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。
2.根据权利要求1所述的监测方法,其特征在于,提供质量目标值的步骤具体为:测量特定产品的衬底在去除鳍形成开口后的质量,通过扫描电子显微镜分析该开口深度和/或开口内是否有残留物,确定该衬底的质量为质量目标值。
3.根据权利要求2所述的监测方法,其特征在于,提供质量容差值的步骤具体为:测量该特定产品的其他多批次衬底在去除鳍形成开口后的质量,得到去除鳍形成开口后的质量变化数据,以确定容差范围。
4.一种沟道刻蚀工艺的监测方法,其特征在于,包括:
提供去除鳍形成开口前、后的质量差目标值以及其容差范围;
提供衬底,在衬底上形成鳍及鳍之间的介质材料,获得该衬底的第一质量;
去除鳍,以形成开口,获得该衬底的第二质量;
判断第二质量与第一质量的质量差是否在质量差目标值的容差范围内。
5.根据权利要求4所述的监测方法,其特征在于,提供质量差目标值的步骤具体为:测量特定产品的衬底在去除鳍形成开口前、后的质量,通过扫描电子显微镜分析该开口深度和/或开口内是否有残留物,确定该衬底在去除鳍形成开口前、后质量差为质量差目标值。
6.根据权利要求5所述的监测方法,其特征在于,提供质量差容差值的步骤具体为:测量该特定产品的其他多批次衬底在去除鳍形成开口前、后的质量,得到去除鳍形成开口前、后的质量差变化数据,以确定容差范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造