[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有配置有半导体元件的元件区域和配置在所述元件区域的周围的外周区域，所述半导体装置的特征在于，具有：

第1导电型的第1半导体区域，其配置在所述元件区域和所述外周区域；

多个第2导电型的第2半导体区域，它们相互隔开间隔地呈点状配置在所述元件区域的所述第1半导体区域的上表面，所述第2半导体区域的内径是0.5μm～20μm；

第2导电型的第3半导体区域，其围着所述元件区域而配置在所述外周区域的所述第1半导体区域的上表面；以及

第1电极，其与所述第2半导体区域和所述第3半导体区域的上表面接触地配置在所述第1半导体区域上，与所述第2半导体区域形成肖特基结，

设所述第2半导体区域的内径为r、所述第2半导体区域的厚度为X，所述第2半导体区域的相互间隔R满足下式的关系：

{(r/2+0.8×X)/(R/2)}²＜0.5。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2半导体区域的杂质浓度是5E17/cm³～1E19/cm³。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2半导体区域的厚度是所述第1半导体区域的厚度的20％～60％。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第3半导体区域的所述元件区域侧的从俯视方向观察到的外缘形状与配置在所述元件区域的最外缘的所述第2半导体区域的外缘形状相匹配。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2半导体区域的从俯视方向观察到的形状是圆形、四边形、六边形中的任意一个。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述第2半导体区域被配置成从俯视方向观察分别位于正方形或等边三角形的顶点。

7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2半导体区域的上表面位置比所述第1半导体区域的上表面位置低0.05μm～1μm。

8.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2半导体区域的厚度是0.5μm～1μm。

9.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具有第2电极，所述第2电极配置在所述第1半导体区域的与配置有所述第1电极的上表面相对的背面上，所述半导体元件是分别将所述第1电极和所述第2电极作为阳电极和阴电极的肖特基势垒二极管。