[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供半导体装置，其在外周区域内具有用于提高耐压的构造、而且能够抑制形成在元件区域内的半导体元件的损坏。半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区域，其配置在元件区域和外周区域；多个第2导电型的第2半导体区域，它们相互隔开间隔地呈点状配置在元件区域的第1半导体区域的上表面，内径是0.5μm～20μm；第2导电型的第3半导体区域，其围着元件区域而配置在外周区域的第1半导体区域的上表面；以及第1电极，其与第2半导体区域和第3半导体区域的上表面接触地配置在第1半导体区域上，与第2半导体区域形成肖特基结。

技术领域

本发明涉及在外周区域内形成有用于提高耐压的构造的半导体装置。

背景技术

为了提高具有肖特基势垒二极管(SBD)等半导体元件的半导体装置的耐压，采用了各种技术。例如，通过在围着配置有SBD的元件区域的外周区域内分散配置p⁺区域或者呈条纹状地配置p⁺区域，实现了电场缓和(例如，参照专利文献1)。

【专利文献1】日本特开2000－312011号公报

然而，虽然在外周区域内形成用于提高耐压的构造可以提高耐压，但另一方面，存在的问题是，在击穿后雪崩电流会集中到外周区域。雪崩电流集中到外周区域会导致半导体装置的温度局部上升，从而损坏半导体元件。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种在外周区域内具有用于提高耐压的构造、而且能够抑制形成在元件区域内的半导体元件的损坏的半导体装置。

根据本发明的一个方式，提供一种半导体装置，其具有配置有半导体元件的元件区域和配置在元件区域的周围的外周区域，其中，半导体装置具有：(a)第1导电型的第1半导体区域，其配置在元件区域和外周区域；(b)多个第2导电型的第2半导体区域，它们相互隔开间隔地呈点状配置在元件区域的第1半导体区域的上表面，内径是0.5μm～20μm；(c)第2导电型的第3半导体区域，其围着元件区域而配置在外周区域的第1半导体区域的上表面；以及(d)第1电极，其与第2半导体区域和第3半导体区域的上表面接触地配置在第1半导体区域上，与第2半导体区域形成肖特基结。

根据本发明，可以提供一种在外周区域内具有用于提高耐压的构造、而且能够抑制形成在元件区域内的半导体元件的损坏的半导体装置。

附图说明

图1是示出本发明实施方式的半导体装置的结构的示意性剖视图。

图2是示出本发明实施方式的半导体装置的第2半导体区域的曲率和耐压之间的关系的曲线图。

图3是示出本发明实施方式的半导体装置的第2半导体区域的内径和耐压之间的关系的曲线图。

图4是本发明实施方式的半导体装置的第2半导体区域的配置例的示意性俯视图。

图5是示出与本发明实施方式的半导体装置和比较例相关的耐压和电流之间的关系的曲线图。

图6是示出半导体装置的击穿位置的例子的示意性剖视图。

图7是示出本发明实施方式的半导体装置的第2半导体区域的结构例的示意性剖视图。

标号说明

1：半导体装置；10：第1半导体区域；20：第2半导体区域；30：第3半导体区域；40：第1电极；50：绝缘膜；60：基体；70：第2电极；101：元件区域；102：外周区域。

具体实施方式

下面，参照附图，说明本发明实施方式。在以下的附图的记载中，对相同或类似的部分附上相同或类似的标号。不过，应注意的是，附图是示意性附图，各层的厚度比率等与实际不同。因此，具体的厚度和尺寸应参考以下的说明来判断。并且，在附图相互间当然也包含有相互的尺寸关系和比率不同的部分。