[发明专利]掩膜版、掩膜版组、像素的制作方法及像素结构有效

专利信息
申请号: 201410421343.5 申请日: 2014-08-25
公开(公告)号: CN104330954A 公开(公告)日: 2015-02-04
发明(设计)人: 吴海东;金泰逵;马群;白娟娟 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: G03F1/44 分类号: G03F1/44;H01L21/77;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 掩膜版 掩膜版组 像素 制作方法 结构
【权利要求书】:

1.一种掩膜版,包括:交替排列的遮挡区和开口区,其特征在于,所述开口区的宽度为一个亚像素宽度的二倍,相邻两个所述开口区之间的遮挡区的宽度为所述一个亚像素宽度的四倍。

2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版中最左侧的区域为所述遮挡区或所述开口区。

3.根据权利要求2所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版中最左侧的区域的宽度为所述一个亚像素宽度的一倍、二倍、三倍或四倍。

4.根据权利要求2所述的掩膜版,其特征在于,用于形成不同颜色的亚像素的掩膜版最左侧的区域不同。

5.一种掩膜版组,其特征在于,用于制作颜色各不相同的第一亚像素、第二亚像素和第三亚像素,所述掩膜版组包括:

用于制作第一亚像素的第一掩膜版,所述第一掩膜版为权利要求1~4任一项所述的掩膜版;

用于制作第二亚像素的第二掩膜版,所述第二掩膜版为权利要求1~4任一项所述的掩膜版,在所述第二掩膜版与所述第一掩膜版完全重叠时,所述第二掩膜版的开口区在所述第一掩膜版上的垂直投影与所述第一掩膜版的开口区交替分布,且相邻的所述第二掩膜版的开口区在所述第一掩膜版上的垂直投影与所述第一掩膜版的开口区之间间隔的距离均为一个亚像素的宽度;

用于制作第三亚像素的第三掩膜版,所述第三掩膜版包括交替排列的开口区和遮挡区,所述第三掩膜版的开口区的宽度为所述一个亚像素的宽度,相邻两个所述第三掩膜版的开口区之间的遮挡区的宽度为所述一个亚像素的宽度的二倍,在所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版完全重合时,所述第二掩膜版的开口区在所述第一掩膜版上的垂直投影与所述第一掩膜版的开口区之间的间隔区域与所述第三掩膜版的开口区在所述第一掩膜版上的垂直投影完全重叠。

6.根据权利要求5所述的掩膜版组,其特征在于,所述第一掩膜版中最左侧的区域为遮挡区,且所述第一掩膜版中最左侧的区域的宽度为所述一个亚像素宽度的四倍。

7.根据权利要求6所述的掩膜版组,其特征在于,所述第一掩膜版所制作第一亚像素为红色亚像素。

8.根据权利要求5所述的掩膜版组,其特征在于,所述第二掩膜版中最左侧的区域为遮挡区,且所述第二掩膜版中最左侧的区域的宽度为所述一个亚像素宽度。

9.根据权利要求8所述的掩膜版组,其特征在于,所述第二掩膜版所制作第二亚像素为蓝色亚像素。

10.根据权利要求5所述的掩膜版组,其特征在于,所述第三掩膜版中最左侧的区域为开口区,且所述第三掩膜版中最左侧的区域的宽度为所述一个亚像素宽度。

11.根据权利要求10所述的掩膜版组,其特征在于,所述第三掩膜版所制作第三亚像素为绿色亚像素。

12.一种像素的制作方法,其特征在于,所述制作方法应用权利要求5~11任一项所述的掩膜版组,所述制作方法包括:采用所述掩膜版组中的第一掩膜版制作第一亚像素;采用所述掩膜版组中的第二掩膜版制作第二亚像素;采用所述掩膜版组中的第三掩膜版制作第三亚像素。

13.根据权利要求12所述的像素的制作方法,其特征在于,所述第一亚像素为红色亚像素,所述第二亚像素为蓝色亚像素,所述第三亚像素为绿色亚像素。

14.根据权利要求12所述的像素的制作方法,其特征在于,所述制作第一亚像素、所述制作第二亚像素和所述制作第三亚像素不分先后顺序。

15.一种像素结构,其特征在于,采用权利要求12~14任一项所述制作方法制作。

16.根据权利要求15所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构包括多个像素重复单元,每个所述像素重复单元包括按照第一亚像素、第三亚像素、第二亚像素、第二亚像素、第三亚像素和第一亚像素的顺序依次排列的6个亚像素。

17.根据权利要求16所述的像素结构,其特征在于,所述第一亚像素为红色亚像素,所述第二亚像素为蓝色亚像素,所述第三亚像素为绿色亚像素。

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