[发明专利]掩膜版、掩膜版组、像素的制作方法及像素结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜版、掩膜版组、像素的制作方法及像素结构。

背景技术

通常情况下，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示器件的一个像素包括三个颜色分别为R(红)、G(绿)、B(蓝)的亚像素。PPI(Pixels Per Inch，每英寸所拥有的像素数目)决定显示器件画面的细腻程度，PPI越高，画面越细腻。增大PPI的关键在于如何减小单个亚像素的尺寸。

目前，OLED显示器件的像素是使用FMM(Fine Metal Mask，高精度金属掩模版)通过真空蒸镀工艺形成的。形成过程中，使用掩膜版遮挡住其中两种颜色的亚像素待形成的区域，暴露出剩余一种颜色的亚像素待形成的区域，从而蒸镀剩余一种颜色的亚像素。如图1所示，图中上方的部分为掩膜版的平面图，下方的部分为掩膜版的截面图，掩膜版包括遮挡区101和开口区102，遮挡区101的侧壁具有一定的侧壁倾斜角度θ。在工艺可实现的前提下，侧壁倾斜角度θ越小，代表开口区102顶部的开口越大，粒子就越容易到达开口区102底部的边缘，蒸镀的亚像素的尺寸和形状就越接近理想尺寸和形状，因此侧壁倾斜角度θ的大小影响蒸镀效果的好坏。目前侧壁倾斜角度θ一般为40°～60°。

若d表示掩膜版的厚度，w表示遮挡区101的宽度，s表示开口区102的宽度，则一个亚像素的宽度p＝s＝0.5w。若a为遮挡区101侧壁在遮挡区101底部的垂直投影的宽度，b为遮挡区101顶部在遮挡区101底部的垂直投影的宽度，则遮挡区101的宽度w＝2a+b。因此，一个亚像素的宽度p＝0.5(2a+b)＝a+0.5b＝(d/tanθ)+0.5b。可见，在θ确定的情况下，亚像素的宽度受到掩膜版厚度d的限制，掩膜版厚度越薄，亚像素的宽度越小，PPI就越大。

但是，掩膜版的厚度越薄，其制作工艺难度越大，制作成本越高。目前用来蒸镀OLED像素的掩膜版的厚度通常为40μm，最薄为30μm，即使采用最薄的30μm厚度的掩膜版，OLED的PPI依然无法得到大幅提升，这导致OLED显示器件的画面显示细腻程度无法提高。

发明内容

为克服上述现有技术中的缺陷，本发明所要解决的技术问题为：提供一种掩膜版、掩膜版组、像素的制作方法及像素结构，以提高OLED显示器件的画面细腻程度。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种掩膜版，包括：交替排列的遮挡区和开口区，所述开口区的宽度为一个亚像素宽度的二倍，相邻两个所述开口区之间的遮挡区的宽度为所述一个亚像素宽度的四倍。

优选的，所述掩膜版中最左侧的区域为所述遮挡区或所述开口区。

优选的，所述掩膜版中最左侧的区域的宽度为所述一个亚像素宽度的一倍、二倍、三倍或四倍。

优选的，用于形成不同颜色的亚像素的掩膜版最左侧的区域不同。

本发明还提供了一种掩膜版组，用于制作颜色各不相同的第一亚像素、第二亚像素和第三亚像素，所述掩膜版组包括：用于制作第一亚像素的第一掩膜版，所述第一掩膜版为以上所述的掩膜版；用于制作第二亚像素的第二掩膜版，所述第二掩膜版为以上所述的掩膜版，在所述第二掩膜版与所述第一掩膜版完全重叠时，所述第二掩膜版的开口区在所述第一掩膜版上的垂直投影与所述第一掩膜版的开口区交替分布，且相邻的所述第二掩膜版的开口区在所述第一掩膜版上的垂直投影与所述第一掩膜版的开口区之间间隔的距离均为一个亚像素的宽度；用于制作第三亚像素的第三掩膜版，所述第三掩膜版包括交替排列的开口区和遮挡区，所述第三掩膜版的开口区的宽度为所述一个亚像素的宽度，相邻两个所述第三掩膜版的开口区之间的遮挡区的宽度为所述一个亚像素的宽度的二倍，在所述第一掩膜版、所述第二掩膜版和所述第三掩膜版完全重合时，所述第二掩膜版的开口区在所述第一掩膜版上的垂直投影与所述第一掩膜版的开口区之间的间隔区域与所述第三掩膜版的开口区在所述第一掩膜版上的垂直投影完全重叠。

优选的，所述第一掩膜版中最左侧的区域为遮挡区，且所述第一掩膜版中最左侧的区域的宽度为所述一个亚像素宽度的四倍。

优选的，所述第一掩膜版所制作第一亚像素为红色亚像素。

优选的，所述第二掩膜版中最左侧的区域为遮挡区，且所述第二掩膜版中最左侧的区域的宽度为所述一个亚像素宽度。

优选的，所述第二掩膜版所制作第二亚像素为蓝色亚像素。