[发明专利]MCSP功率半导体器件及制备方法

权利要求书

1.一种制备功率半导体器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供正面带有一塑封层的晶圆；

在晶圆背面或者一金属箔层的一面设置一导电粘合层；

层压所述金属箔层至晶圆背面并利用所述导电粘合层进行压合黏接；

粘贴一复合胶带至所述金属箔层上；

切割相邻芯片之间的叠层，所述叠层包括塑封层、晶圆、导电粘合层、金属箔层和复 合胶带，形成多颗独立的功率半导体器件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，切割所述叠层之前，先在所述复合胶带 上印制形成标识符号。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在层压金属箔层的步骤中，同步对晶圆 加热并同时对金属箔层施加以压力；或者

在完成复合胶带的粘贴步骤之后，对晶圆加热并同时对复合胶带及金属箔层施加以压 力，以便紧密压合金属箔层至晶圆背面。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，层压金属箔层之前，先在金属箔层的一 面镀上贵金属涂层，然后以其带有贵金属涂层的一面层压至晶圆背面。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

形成塑封层之前，先在每个芯片正面的衬垫上相应安置金属凸块；

然后以一塑封层塑封在晶圆正面并将每个金属凸块都包覆在内；

再研磨减薄塑封层直至金属凸块的顶端被部分研磨而外露，籍此形成每个金属凸块平 坦化的顶端面，并从塑封层的顶面中予以外露。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在晶圆背面设置导电粘合层之前，先将 一虚设晶圆与所述晶圆进行键合，且键合在塑封层的顶面，在完成复合胶带的粘贴步骤之 后再将虚设晶圆予以剥离。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

形成塑封层之前，先在每个芯片正面的衬垫上相应安置金属凸块；

然后以塑封层塑封在晶圆正面并将每个金属凸块都包覆在内；

完成复合胶带的粘贴步骤之后但在切割所述叠层之前，研磨减薄塑封层直至金属凸块 的顶端被部分研磨而外露，籍此形成每个金属凸块平坦化的顶端面，并从塑封层的顶面中 予以外露。

8.一种功率半导体器件，其特征在于，包括；

一芯片；

一覆盖在芯片正面的顶部塑封层，其中芯片正面的衬垫上设置有金属凸块，并且所述 顶部塑封层围绕在金属凸块侧壁周围，每个金属凸块平坦化的顶端面皆从顶部塑封层的顶 面中外露；

一层压在芯片背面的底部金属箔层，并利用导电粘合层将底部金属箔层压合黏接在芯 片背面；

一粘贴于所述底部金属箔层上的底部复合胶带层。

9.如权利要求8所述的功率半导体器件，其特征在于，所述芯片集成有一对共漏极 金属氧化物半导体场效应管，所述底部金属箔层构成该一对共漏极金属氧化物半导体场效 应管的公共漏极电极，以及功率半导体器件具有分别接触该一对共漏极金属氧化物半导体 场效应管各自的栅极衬垫、源极衬垫的多个金属凸块。

10.如权利要求8所述的功率半导体器件，其特征在于，底部金属箔层压合在芯片 背面的一面镀有贵金属涂层。