[发明专利]芯片、芯片装置以及用于制造芯片的方法在审

专利信息
申请号: 201410423082.0 申请日: 2014-08-25
公开(公告)号: CN104425491A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: G·霍尔韦格;T·亨德尔;G·霍弗;W·帕赫勒 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L27/13;H01L21/77
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 装置 以及 用于 制造 方法
【权利要求书】:

1.芯片(10),包括:

·载体(12);

·在所述载体(12)上方构成的集成电路(14);以及

·蓄能元件(16),所述蓄能元件具有第一电极(28)和第二电极(30),用于给所述集成电路(14)供以电能,其中一体地构成所述载体(12)、所述集成电路(14)以及所述蓄能元件(16),并且其中所述第一电极(28)由所述载体(12)形成。

2.根据权利要求1所述的芯片(10),包括在所述载体(12)上方构成的并且与所述集成电路(14)耦合的天线(18)。

3.根据权利要求2所述的芯片(10),其中,所述天线(18)连同所述载体(12)、所述集成电路(14)以及所述蓄能元件(16)一体地集成到所述芯片(10)中。

4.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),其中,所述第二电极(30)设置在所述载体(12)的与所述集成电路(14)背向的侧上。

5.根据权利要求4所述的芯片(10),其中所述第二电极(30)借助于能够导电的线路(34)与所述集成电路(14)电气耦合,并且其中所述载体(12)具有凹槽,所述线路(34)延伸穿过所述凹槽。

6.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),其中,在所述第一电极(28)与所述第二电极(30)之间设置电解质。

7.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),其中,所述第一电极(28)是所述蓄能元件(16)的阳极,而所述第二电极(30)是所述蓄能元件的阴极。

8.根据权利要求2至7之一所述的芯片(10),其中,所述天线(18)具有线圈(22)。

9.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),所述芯片具有封装材料(36),所述载体(12)、所述集成电路(14)、所述蓄能元件(16)并且必要时所述天线(18)被封装到所述封装材料中。

10.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),所述芯片具有传感器(38),所述传感器一体地集成在所述芯片(10)中。

11.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),所述蓄能元件(16)是电池。

12.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),所述蓄能元件(16)是蓄电池。

13.根据权利要求12所述的芯片(10),所述芯片具有用于给所述蓄电池充电的能量获得模块(40),所述能量获得模块一体地集成到芯片(10)中。

14.芯片装置(50),包括根据上述权利要求之一所述的芯片(10)和增益天线(52),所述增益天线与所述芯片(10)的集成电路(14)耦合。

15.用于制造芯片(10)的方法,其中集成电路(14)构成在载体(12)的上方,并且其中具有第一电极(28)和第二电极(30)的、用于给所述集成电路(14)供以电能的蓄能元件(16)与所述载体(12)、所述集成电路(14)以及所述蓄能元件(16)一体地构成,其中所述第一电极(28)由所述载体(12)形成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司,未经英飞凌科技奥地利有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410423082.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top