[发明专利]芯片、芯片装置以及用于制造芯片的方法在审
申请号: | 201410423082.0 | 申请日: | 2014-08-25 |
公开(公告)号: | CN104425491A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | G·霍尔韦格;T·亨德尔;G·霍弗;W·帕赫勒 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L27/13;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 装置 以及 用于 制造 方法 | ||
1.芯片(10),包括:
·载体(12);
·在所述载体(12)上方构成的集成电路(14);以及
·蓄能元件(16),所述蓄能元件具有第一电极(28)和第二电极(30),用于给所述集成电路(14)供以电能,其中一体地构成所述载体(12)、所述集成电路(14)以及所述蓄能元件(16),并且其中所述第一电极(28)由所述载体(12)形成。
2.根据权利要求1所述的芯片(10),包括在所述载体(12)上方构成的并且与所述集成电路(14)耦合的天线(18)。
3.根据权利要求2所述的芯片(10),其中,所述天线(18)连同所述载体(12)、所述集成电路(14)以及所述蓄能元件(16)一体地集成到所述芯片(10)中。
4.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),其中,所述第二电极(30)设置在所述载体(12)的与所述集成电路(14)背向的侧上。
5.根据权利要求4所述的芯片(10),其中所述第二电极(30)借助于能够导电的线路(34)与所述集成电路(14)电气耦合,并且其中所述载体(12)具有凹槽,所述线路(34)延伸穿过所述凹槽。
6.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),其中,在所述第一电极(28)与所述第二电极(30)之间设置电解质。
7.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),其中,所述第一电极(28)是所述蓄能元件(16)的阳极,而所述第二电极(30)是所述蓄能元件的阴极。
8.根据权利要求2至7之一所述的芯片(10),其中,所述天线(18)具有线圈(22)。
9.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),所述芯片具有封装材料(36),所述载体(12)、所述集成电路(14)、所述蓄能元件(16)并且必要时所述天线(18)被封装到所述封装材料中。
10.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),所述芯片具有传感器(38),所述传感器一体地集成在所述芯片(10)中。
11.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),所述蓄能元件(16)是电池。
12.根据上述权利要求之一所述的芯片(10),所述蓄能元件(16)是蓄电池。
13.根据权利要求12所述的芯片(10),所述芯片具有用于给所述蓄电池充电的能量获得模块(40),所述能量获得模块一体地集成到芯片(10)中。
14.芯片装置(50),包括根据上述权利要求之一所述的芯片(10)和增益天线(52),所述增益天线与所述芯片(10)的集成电路(14)耦合。
15.用于制造芯片(10)的方法,其中集成电路(14)构成在载体(12)的上方,并且其中具有第一电极(28)和第二电极(30)的、用于给所述集成电路(14)供以电能的蓄能元件(16)与所述载体(12)、所述集成电路(14)以及所述蓄能元件(16)一体地构成,其中所述第一电极(28)由所述载体(12)形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的