[发明专利]芯片、芯片装置以及用于制造芯片的方法在审
申请号: | 201410423082.0 | 申请日: | 2014-08-25 |
公开(公告)号: | CN104425491A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | G·霍尔韦格;T·亨德尔;G·霍弗;W·帕赫勒 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L27/13;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 装置 以及 用于 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种芯片、芯片装置以及用于制造芯片的方法。
背景技术
在常规芯片中,具有逻辑电路的电子电路一体地构成在载体例如基底上。电子电路能够例如具有用于通信例如用于与外部装置例如外部读取装置交换数据的通信模块。为了支持通信能够将天线例如整体地集成到芯片中。这样的天线能够具有例如线圈(模块上的线圈,Coil on Module)。例如能够借助于关于芯片外部构成的增益天线正面地影响发送和/或接收功率和/或连接质量。增益天线能够与一体地集成在芯片上的天线耦合,例如感应地。
该芯片能够例如借助于外部能源例如电池运行,该电池与芯片电气耦合,例如借助于金属线和/或焊接连接,例如借助于压焊连接。对此备选地能够感应地传输能量,例如借助于天线,例如假如芯片具有RFID装置或是RFID装置。为了感应地传输用于运行芯片的能量,芯片必须相对接近传输能量的外部装置例如外部读取装置地设置,因为用于运行芯片的相对多的能量是需要的并且必须被传输。尤其地,原则上运行芯片需要的能量大于借助于用于读取芯片的数据的交变电磁场隐含地传输的能量。
发明内容
在不同实施形式中提供一种芯片和/或芯片装置,该芯片或芯片装置实现芯片的电子电路的简单的制造和/或运行,和/或该芯片或芯片装置具有在无接触通信下的大的有效范围。
在不同实施形式中提供一种芯片。该芯片包括:载体;在所述载体上方构成的集成电路;以及蓄能元件。所述蓄能元件具有第一电极和第二电极并且用于给集成电路供以电能。载体、集成电路以及蓄能元件一体地构成,其中第一电极由载体形成。
蓄能元件用作用于芯片的集成电路的能量源。该芯片由此独立于外部能量源。这能够有助于,能够省去例如借助于能够导电金属线与外部能源量例如外部设置的电池的电气耦合。这能够有助于,简单和/或成本有利地制造芯片和/或芯片装置。此外在与芯片的无接触的通信中的有效范围能够特别大,因为通过相应的电磁场不必须传输用于运行芯片的能量——例如在用于供能的感应耦合中必要的那样——而是仅仅必须传输数据。此外一体集成的蓄能元件能够有助于,能够特别简单地运行芯片;和/或实现了,能够将芯片用于多种应用,其中有利的是,不需要与外部装置的实体连接。
在不同实施形式中,芯片包括在载体上方构成的并且与集成电路耦合的天线。该天线有助于,集成电路能够无接触地例如没有有线连接地与外部读取装置通信。该天线能够例如有助于,实现在无接触的通信中特别大的有效范围。此外天线能够用于与增益天线的感应耦合,由此能够进一步增大用于数据传输的有效范围。天线例如如此设置和构成,以使得集成电路设置在天线与载体之间。天线能够与集成电路例如借助于芯片的导体电路和/或通道电气耦合。天线能够具有例如线圈。备选地芯片能够与外部读取装置例如容性地耦合并且数据能够借助于容性耦合传输。对于容性耦合,半导体芯片能够具有电极,该电极形成电容器并且与集成电路电气耦合。
与外部读取装置的通信能够无源、有源、半有源、双向和/或单向实现。此外能够实现在一个或多个载频下的通信,例如借助于超宽带技术(UWB)。
在不同实施形式中,天线、载体、集成电路以及蓄能元件一体地集成到芯片中。这有助于,例如借助于金属线连接的半导体芯片至外部装置例如外部天线的实体耦合对于通信不是必要的。这能够有助于,能够特别简单地运行芯片,和/或实现了,能够将芯片用于多种应用,其中有利的是,不需要与外部装置的实体连接。
在不同的实施形式中,第二电极设置在载体的与集成电路背向的侧上。例如载体设置在第二电极与集成电路之间。这实现了,集成电路构成在芯片的第一区域中,而蓄能元件构成在芯片的第二区域中,其中第一和第二区域相互分开,例如借助于载体的核心区域。
在不同实施形式中,第二电极借助于能够导电的线路与集成电路电气耦合,并且载体具有凹槽,线路延伸穿过所述凹槽。这通过简单的方式实现了,集成电路与蓄能元件电气耦合。该线路能够例如由内层连接和/或连续的通道(垂直互连通路)形成。
在不同实施形式中,在第一电极与第二电极之间设置电解质。这实现了,将蓄能元件作为电池或蓄电池驱动。
在不同实施形式中,第一电极是蓄能元件的阳极,而第二电极是蓄能元件的阴极。
在不同实施形式中,天线具有线圈。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的