[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201410424367.6 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105374820B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 朴哲秀;江明崇 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;章侃铱 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板 接触窗插塞 埋入式字线 多晶硅间隙壁 隔离层 沟道 半导体结构 顶面 降低接触电阻 接触电阻 侧壁 | ||
1.一种半导体结构，包括：
一基板，具有多数个沟道；
多数个埋入式字线，位在所述基板的所述沟道内，且所述埋入式字线的顶面低于所述基板的表面一第一距离；
多数个隔离层，分别位于所述埋入式字线上的所述沟道内，且所述隔离层的顶面低于所述基板的表面一第二距离；
多数个多晶硅间隙壁，位在所述隔离层上的所述沟道的侧壁，以与所述基板直接接触；以及
多数个接触窗插塞，位在所述基板上并分别与所述多晶硅间隙壁与所述基板电性相连。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述接触窗插塞包括电容器接触窗插塞。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二距离小于所述隔离层的厚度。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其中每一所述多晶硅间隙壁的厚度在5nm～15nm之间。
5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括一绝缘层，位于所述基板与每一所述埋入式字线之间。
6.如权利要求1所述的半导体结构，还包括多数个金属硅化物层，分别位于所述多晶硅间隙壁的表面，并与所述接触窗插塞直接接触。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其中所述金属硅化物层包括硅化钴层、硅化镍层或硅化钛层。
8.如权利要求1所述的半导体结构，还包括多数个位线，位在所述基板上并横跨所述埋入式字线。
9.如权利要求8所述的半导体结构，还包括多数个金属硅化物层，分别位于所述位线的表面。
10.如权利要求9所述的半导体结构，其中所述金属硅化物层包括硅化钴层、硅化镍层或硅化钛层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
