[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410425762.6 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104157578B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 沈思杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为用于形成半导体器件的功能面；
刻蚀所述第一表面，在所述半导体基底中形成沟槽；
采用炉管沉积法同时在所述半导体基底的第一表面和第二表面形成半导体材料层，所述半导体材料层为多晶硅层；
去除所述第二表面的全部厚度的半导体材料层；
向所述半导体基底位于所述沟槽的周边的的第一表面注入离子；
采用含碳源气体和氧源气体的气体进行退火工艺，以形成源极或是漏极；
其中，所述注入离子的步骤包括：
采用吸盘吸住所述半导体基底的第二表面，将所述半导体基底固定在反应腔室中；
之后向所述半导体基底的第一表面注入离子。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，
采用炉管沉积法在所述半导体基底的第一表面形成半导体材料层的步骤中，所述半导体材料层填充于所述沟槽中；
在形成所述半导体材料层后，所述形成方法还包括：去除覆盖在所述第一表面的半导体材料层，至露出所述第一表面。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述碳源气体包括C2H2Cl2。
4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度大于或等于1000℃。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述第二表面的半导体材料层的步骤包括：采用刻蚀工艺或是平坦化工艺去除位于第二表面的半导体材料层。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械研磨工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
