[发明专利]半导体器件的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

在半导体器件制造中，多晶硅是一种最常用的半导体材料，通常可用于制造MOS晶体管的栅极、高阻值多晶硅电阻、闪存的浮栅、控制栅等。

如以沟槽栅功率晶体管(Trench Gate Power MOS)的制备工艺为例：

参考图1，在半导体衬底10上形成器件层11，并在器件层11上开设沟槽12，之后，参考图2，在所述器件层11上形成掺杂离子的多晶硅层13，所述多晶硅层13填充所述沟槽12，用于形成栅极；接着参考图3，在采用平坦化工艺等技术去除所述器件层11表面多余的多晶硅层13后，向所述器件层11内注入离子，并经退火工艺后形成体区14，然后再经二次离子注入工艺向所述体区14内注入离子，接着经二次退火工艺形成源区15。

现有半导体制备工艺中，通常采用炉管沉积形成所述多晶硅层13。相比于化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)等工艺，炉管沉积具有更高效地沉积速率，且成本更低，因而炉管沉积法广泛应用于较厚厚度的多晶硅层沉积工艺中。

在实际操作工艺中，通常采用吸盘吸附经炉管沉积法形成有多晶硅层的半导体基底，然而，吸盘对半导体基底的吸附力较弱，容易出现半导体基底定位难的情况；从而使在后续工艺(如：退火)中形成的半导体功率器件的性能较差。

而随着半导体技术发展对半导体功率器件精度要求的不断提高，采用炉管沉积法形成多晶硅层的制备工艺无法满足日益提高的半导体功率器件的高标准要求。

为此，如何改进采用炉管沉积多晶硅层工艺的半导体制备工艺是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件的形成方法，提高形成的半导体功率器件的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为用于形成半导体器件的功能面；

采用炉管沉积法在所述半导体基底的第一表面和第二表面形成半导体材料层；

去除所述第二表面的半导体材料层。

可选地，在形成所述半导体材料层前，所述形成方法还包括：刻蚀所述第一表面，在所述半导体基底中形成沟槽；

采用炉管沉积法在所述半导体基底的第一表面形成半导体材料层的步骤中，所述半导体材料层填充于所述沟槽中；

在形成所述半导体材料层后，所述形成方法还包括：去除覆盖在所述第一表面的半导体材料层，至露出所述第一表面。

可选地，在去除所述第一表面和第二表面的半导体材料层后，所述形成方法还包括：

向位于所述沟槽的周边的所述第一表面内，注入离子；

进行退火工艺，以形成源极或是漏极。

可选地，所述注入离子的步骤包括：

采用吸盘吸住所述半导体基底的第二表面，将所述半导体基底固定在反应腔室中；

之后向所述半导体基底的第一表面注入离子。

可选地，所述退火工艺的步骤包括：采用含碳源气体和氧源气体的气体进行退火工艺。

可选地，所述碳源气体包括C₂H₂Cl₂。

可选地，所述退火工艺的温度大于或等于1000℃。

可选地，去除所述第二表面的半导体材料层的步骤包括：采用刻蚀工艺或是平坦化工艺去除位于第二表面的半导体材料层。

可选地，所述平坦化工艺为化学机械研磨工艺。

可选地，所述半导体材料层为多晶硅层。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：