[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体工件，所述半导体工件包括在所述半导体工件的第一侧的器件区域，其中所述半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺；

在所述半导体工件的与所述半导体工件的所述第一侧相对的第二侧之上沉积至少一个传导层，其中所述至少一个传导层增加所述半导体工件的所述机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受所述至少一个后端工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个后端工艺包括以下工艺中的至少一个工艺：预组装工艺、组装工艺、封装工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个后端工艺包括以下工艺中的至少一个工艺：切分工艺、裸片拾取工艺、裸片附接工艺、接线键合工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述半导体工件的所述第二侧之上沉积所述至少一个传导层包括除了所述半导体工件的切口区域之外用所述至少一个传导层覆盖所述半导体工件的所述第二侧。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括在沉积所述至少一个传导层之后沿着所述切口区域切分所述半导体工件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体工件包括晶片。

7.根据权利要求1所述的方法，其中沉积所述至少一个传导层包括镀制工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体工件的厚度使得所述半导体工件的所述机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受所述至少一个后端工艺，并且其中所述至少一个传导层的厚度使得增加所述半导体工件的所述机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受所述至少一个后端工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体工件具有小于或者等于约50μm的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个传导层具有大于或者等于约10μm的厚度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个传导层包括具有小于或者等于约1×10^-6Ωm的电阻率。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个传导层包括金属和金属合金中的至少一项。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个金属化层包括从材料的组选择的至少一种材料，所述组由以下各项构成：铜、锡、镍、金、银、钯、锌、铁、钛、包括前述材料中的至少一种材料的合金。

14.根据权利要求4所述的方法，其中沉积所述至少一个传导层包括图案镀制工艺。

15.根据权利要求5所述的方法，还包括将通过切分所述半导体工件而获得的至少一个裸片附接到至少一个引线框架。

16.根据权利要求15所述的方法，其中将所述至少一个裸片附接到所述至少一个引线框架包括裸片拾取工艺和裸片附接工艺中的至少一个工艺。

17.一种半导体器件，包括：

半导体工件，所述半导体工件包括在所述半导体工件的第一侧的器件区域，其中所述半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺；

在所述半导体工件的与所述半导体工件的所述第一侧相对的第二侧沉积的至少一个传导层，其中所述至少一个传导层增加所述半导体工件的所述机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受所述至少一个后端工艺。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中所述半导体工件的厚度使得所述半导体工件的所述机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受所述至少一个后端工艺，并且其中所述至少一个传导层的厚度使得增加所述半导体工件的所述机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受所述至少一个后端工艺。

19.根据权利要求17所述的半导体器件，其中所述半导体工件具有小于或者等于约50μm的厚度，并且所述至少一个传导层具有大于或者等于约10μm的厚度。

20.根据权利要求17所述的半导体器件，其中所述半导体工件包括在所述半导体工件的所述器件区域与所述至少一个传导层之间设置的衬底区域。