[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件

说明书

技术领域

各种实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

由于高数据速率接口(比如通用串行总线(USB)3.0、高清晰度多媒体接口(HDMI)或者Thunderbolt)进入大量应用，对于高度有效的静电放电(ESD)保护器件的需要正在增长。本征ESD器件电阻需要很低以便对关键ESD事件恰当放电。硅(Si)衬底是对ESD器件的本征电阻的主要贡献者(例如接近70％)。ESD器件可以包括一个或者多个二极管，因此这些二极管的性能可以随着硅更薄而提高。在降低硅厚度下至35μm以下时，多种新加工问题可能出现。芯片的机械稳定性可能降低至传统预组装和封装工艺(例如切分、裸片拾取)可能造成有害的芯片损坏(比如碎裂或者芯片裂缝)这样的程度。

由于在ESD器件中的电流流动可以经过硅(竖直电流方向)，晶片背侧可以设置有金属接触。这一金属层可以设置于充当焊接层的晶片背侧上。这可以用于实现硅到引线框架的良好电接触并且将芯片机械地附接到引线框架。常规地，可以在晶片上溅射金属层，并且可以使用机械晶片切分工艺(例如锯切)与硅同时分离金属层。同时锯切硅和金属可能由于金属在锯切刀片上粘附而关键。切分缺陷可能出现，因为刀片可能由于切分刀片的钻石颗粒的阻止而改变它的性质。用于优良切分性能的工艺窗可能受硅厚度(越高越好)与金属厚度(越低越好)之比限制。因此，降低硅厚度可能引起切分问题增加。

另外，在典型裸片拾取工艺中，可以存在从切分箔以下提起芯片以减少(切分箔到晶片背侧的)粘合力的针，并且同时可以有从前侧夹住芯片从而向引线框架传送芯片的真空操纵器。超薄芯片可能易于断裂，因为小片硅可能不能耐受箔拆卸的机械力和从推针的来自下方的力。这可能尤其对于很小芯片尺寸而言关键。

如今，芯片厚度可能受如以上描述的可制造性或者制造工艺限制，其中对于所得产品，这意味着可能存在对它们的性能的硬性限制。

发明内容

根据一个实施例，提供一种用于制造半导体器件的方法。该方法可以包括提供半导体工件，该半导体工件包括在半导体工件的第一侧的器件区域，其中半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺，并且在半导体工件的与半导体工件的第一侧相对的第二侧之上沉积至少一个传导层，其中至少一个传导层增加半导体工件的机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺。

根据一个实施例，提供一种半导体器件。该半导体器件可以包括:半导体工件，该半导体工件包括在半导体工件的第一侧的器件区域，其中半导体工件的机械稳定性不足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺；以及在半导体工件的与半导体工件的第一侧相对的第二侧之上沉积的至少一个传导层，其中至少一个传导层增加半导体工件的机械稳定性以足以在不损坏的情况下经受至少一个后端工艺。

附图说明

在附图中，相似标号贯穿不同视图总体指代相同部分。附图未必按比例，代之以一般着重于举例说明本发明的原理。在以下描述中，参照以下附图描述本发明的各种实施例，在附图中：

图1A示出流程图，该流程图图示根据各种实施例的用于制造半导体器件的方法。

图1B示出根据各种实施例的半导体器件的示意截面图。

图2A至2D示出根据各种实施例的用于制造半导体器件的方法的各种加工阶段为截面图。

具体实施方式

以下具体描述参照通过示例示出其中可以实现本发明的具体细节和实施例的附图。用充分细节描述这些实施例以使本领域技术人员能够实现本发明。可以利用其它实施例并且可以进行结构、逻辑和电性改变而未脱离本发明的范围。各种实施例未必互斥，因为一些实施例可以与一个或者多个其它实施例组合以形成新实施例。结合方法描述各种实施例，并且结合器件描述各种实施例。然而可以理解结合方法描述的实施例可以相似地适用于器件，并且反之亦然。

字眼“示例”在本文中用来意味着“用作例子、实例或者示例”。在本文中描述为“示例”的任何实施例或者设计未必解释为比其它实施例或者设计优选或者有利。

可以理解术语“至少一个”和“一个或者多个”包括大于或者等于一个的任何整数，即一个、两个、三个、四个等。

可以理解术语“多个”包括大于或者等于两个的任何整数，即两个、三个、四个、五个等。